STP17NK40FP 时间：2025/7/22 22:42:49 阅读：7

STP17NK40FP是一款N沟道增强型功率MOSFET，由意法半导体（STMicroelectronics）生产。该器件设计用于高效率、高可靠性的功率转换应用，例如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机控制以及逆变器系统。STP17NK40FP采用了先进的制造工艺，确保了较低的导通电阻和较高的开关性能，同时具备良好的热稳定性和耐用性。该MOSFET采用TO-220FP封装，具有良好的散热能力和机械稳定性，适用于各种工业和消费类应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：400V
　　连续漏极电流（ID）：17A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω（最大）
　　栅极电荷（Qg）：52nC（典型）
　　输入电容（Ciss）：1100pF（典型）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220FP

特性

STP17NK40FP具备多项优异特性，确保其在多种应用中表现出色。首先，其较高的漏源电压（400V）和连续漏极电流（17A）能力，使其适用于高功率密度设计。其次，低导通电阻（RDS(on)）可减少导通损耗，提高整体效率，这对于开关电源和DC-DC转换器尤为重要。此外，该MOSFET的栅极电荷（Qg）较低，有助于降低高频开关应用中的驱动损耗，从而提高能效。
　　该器件的封装设计（TO-220FP）具备良好的散热性能，能够有效将热量传导至散热片或PCB上，从而提升整体系统的热稳定性。同时，该封装具备较高的机械强度和耐久性，适用于严苛的工作环境。
　　STP17NK40FP还具备较强的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行，避免因电压尖峰导致的损坏。这一特性使其在电机驱动和逆变器应用中尤为可靠。此外，其工作温度范围较宽（-55°C至150°C），适合在各种环境条件下运行，包括高温工业环境。

应用

STP17NK40FP广泛应用于多个领域，包括但不限于以下几种关键应用场景：
　　1. **开关电源（SMPS）**：由于其高耐压能力和较低的导通损耗，该MOSFET适用于各种开关电源拓扑结构，如反激式、正激式和半桥式电源设计，能够有效提高电源转换效率并减少发热。
　　2. **DC-DC转换器**：在DC-DC降压或升压电路中，STP17NK40FP可用于高边或低边开关，提供高效的能量转换，适用于工业电源、电信设备和嵌入式系统。
　　3. **电机控制与驱动**：在无刷直流电机（BLDC）或步进电机驱动电路中，该MOSFET可作为主开关器件，具备良好的开关特性和抗过载能力，确保电机运行的稳定性。
　　4. **逆变器与UPS系统**：该器件适合用于逆变器中的H桥结构，实现直流到交流的能量转换，也可用于不间断电源（UPS）系统中，确保在电力中断时的稳定输出。
　　5. **照明与LED驱动**：在LED照明系统中，STP17NK40FP可用于恒流驱动电路，提供稳定的电流输出，同时减少功耗。