时间：2025/7/23 9:38:32
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STP16NK60Z-S 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高电压、高电流能力的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的SuperMESH技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高开关性能，适用于开关电源（SMPS）、电机控制、照明系统以及工业自动化设备等场景。STP16NK60Z-S 采用TO-220封装，具备良好的散热性能和机械强度，适用于高可靠性和高效率要求的应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：16A
最大漏源电压（VDS）：600V
最大栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω @ VGS=10V
栅极电荷（Qg）：53nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
STP16NK60Z-S 的核心优势在于其卓越的电性能和热稳定性。采用SuperMESH技术，显著降低了导通电阻，提高了效率，减少了发热。该MOSFET具备高雪崩能量承受能力和良好的抗短路能力，适用于严苛的工业环境。此外，该器件具有快速开关特性，能够有效降低开关损耗，提高整体系统的效率。其TO-220封装形式具备良好的散热能力，确保在高功率应用中稳定运行。STP16NK60Z-S 还具有低阈值电压、高增益和良好的线性区特性，适用于多种功率控制和转换应用。
在设计方面，STP16NK60Z-S 提供了出色的抗干扰能力和高耐压水平，适用于高电压和高电流环境。该器件还具备良好的EMI（电磁干扰）抑制能力，有助于减少外部滤波元件的需求，从而简化电路设计。其高可靠性和长寿命特性使其成为工业电源、照明驱动和电机控制等领域的理想选择。
STP16NK60Z-S 主要应用于开关电源（SMPS）、LED照明驱动、电机控制、逆变器、UPS不间断电源、工业自动化设备以及家电产品中的功率管理模块。由于其高耐压和高电流能力，该器件也常用于光伏逆变器和电动车充电系统等高功率应用场景。
STP16NF06, STP16NK60ZFP, STP16NK50Z-S
