时间：2025/6/20 22:14:12
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STP16N10L是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程工艺制造，具有低导通电阻和快速开关性能，非常适合在要求高效率和低功耗的应用中使用。
STP16N10L的额定电压为100V，能够提供出色的电气性能和可靠性，适用于各种工业、消费类电子以及汽车应用领域。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：16A
导通电阻：9.5mΩ
栅极电荷：23nC
开关时间：典型值ton=12ns，toff=27ns
工作结温范围：-55℃至175℃
STP16N10L具有以下显著特点：
1. 低导通电阻（Rds(on)），有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，减少开关损耗，适合高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力，提升器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 极佳的热稳定性和可靠性，能够在恶劣环境下长期运行。
5. 符合RoHS标准，环保且满足全球法规要求。
STP16N10L广泛应用于多种领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器及降压/升压电路。
3. 电机驱动和逆变器电路。
4. 汽车电子中的负载开关和保护电路。
5. 各种工业控制和家用电器中的功率管理单元。
IRFZ44N
STP18NF55
FDP15U20E
