类型：N沟道MOSFET
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：25 V
　　栅源电压（Vgs）：±12 V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：30 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：120 A
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：约 4.5 mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=2.5V：约 6.0 mΩ
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型值 1.0 V，最大值 1.5 V
　　输入电容（Ciss）：约 1700 pF
　　输出电容（Coss）：约 450 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 15 ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8 或 SO-8L
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　导通延迟时间（td(on)）：约 8 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：约 12 ns

MDHT4N25URH采用安森美先进的TrenchMOS工艺技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的高度平衡。其关键特性之一是超低的Rds(on)，在Vgs=4.5V条件下可低至4.5mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，特别适用于大电流应用场景。由于采用了优化的晶圆设计和封装结构，该器件在高频率开关操作中表现出色，具备较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），从而减少了驱动损耗和开关能量消耗，提升了电源转换效率。此外，该MOSFET支持逻辑电平驱动，在2.5V至4.5V的栅极电压范围内即可实现充分导通，兼容现代低电压控制IC（如PWM控制器或微控制器GPIO输出），无需额外的电平转换电路。
　　该器件还具备良好的热稳定性与鲁棒性。其封装采用无铅、符合RoHS标准的设计，并使用铜夹片连接技术以降低寄生电阻和电感，进一步提升电流承载能力和散热效率。PowerPAK SO-8封装具有底部裸露焊盘，便于通过PCB进行有效散热，延长器件寿命并提高系统可靠性。器件的雪崩能量额定值较高，具备一定的抗过压冲击能力，可在瞬态负载切换或反电动势产生时提供更好的保护作用。同时，其快速的开关响应时间和短的反向恢复时间使得体二极管在同步整流等应用中也能保持较低的损耗。
　　MDHT4N25URH还针对电磁干扰（EMI）进行了优化，通过控制dV/dt和dI/dt的变化率来减少噪声辐射，有利于满足严格的EMC认证要求。该器件具有负温度系数的阈值电压和正温度系数的导通电阻，有助于在多管并联使用时实现自动均流，避免局部过热问题。此外，它具备良好的抗闩锁能力，防止在高di/dt条件下发生意外导通或损坏。总体而言，这些特性使其成为高性能、高密度电源系统中理想的功率开关元件。

MDHT4N25URH广泛应用于各类需要高效、紧凑型功率开关解决方案的电子系统中。常见应用包括但不限于：同步降压转换器（Buck Converter）中的上下桥臂开关，尤其适用于多相VRM（电压调节模块）设计，用于CPU或GPU供电；DC-DC电源模块中作为主开关或整流开关，支持高电流输出和高转换效率；便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电池电源管理电路，用于负载开关、热插拔控制或电源路径管理；服务器和通信设备的板载电源系统，提供稳定的低压大电流输出。
　　此外，该器件也可用于电机驱动电路，特别是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动中，利用其低导通电阻和快速开关特性实现高效控制。在LED驱动电源中，可用于恒流调节拓扑结构中的开关元件，提升能效并减小散热需求。由于其通过AEC-Q101认证，因此也适用于汽车电子领域，例如车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电、车身控制模块（BCM）中的继电器替代方案以及车载充电器（OBC）内的辅助电源部分。工业自动化设备、PLC模块和智能电表中同样可以采用该MOSFET进行电源切换和负载控制。总之，凡是在25V以下工作电压、需要大电流承载能力和高效率开关性能的场合，MDHT4N25URH都是一种极具竞争力的选择。

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　　 "FDMC447NZ",
　　 "SI4403DY-T1-GE3",
　　 "IRLML6344TRPBF",
　　 "AOZ5242AIJ",
　　 "TPSMB25A"
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