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STP14NF12 发布时间 时间:2025/5/27 9:09:39 查看 阅读:8

STP14NF12是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等领域。
  STP14NF12以其低导通电阻和高效率而著称,能够在较高的电流和电压环境下稳定工作。其额定电压为120V,适合多种工业和消费类电子应用。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:14A
  导通电阻:0.13Ω
  栅极电荷:65nC
  总功耗:125W
  结温范围:-55℃至+175℃

特性

STP14NF12具有较低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  其具备快速开关速度,能够降低开关损耗,适用于高频应用。
  器件的高雪崩能量能力使其在恶劣条件下也能保持可靠性能。
  此外,STP14NF12还具有热稳定性好、抗静电能力强等优点,确保长期使用中的安全性。
  由于采用了先进的制造工艺,该芯片能够承受较大的电流和电压波动,非常适合用于功率变换和控制领域。

应用

STP14NF12主要应用于各种功率转换电路中,例如开关模式电源(SMPS)、逆变器和电机驱动器。
  它也常被用于电池充电器、不间断电源(UPS)以及家用电器的功率管理模块。
  此外,在工业自动化设备中,这款MOSFET可以用于负载切换和保护电路。
  其高频特性使其成为通信设备和音频放大器的理想选择,同时也可以在汽车电子领域中作为功率开关元件使用。

替代型号

IRFZ44N
  STP16NF06
  FDP5800

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STP14NF12参数

  • 其它有关文件STP14NF12 View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)120V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C180 毫欧 @ 7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs21nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds460pF @ 25V
  • 功率 - 最大60W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220-3
  • 包装管件