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STP140NF55 发布时间 时间:2025/7/4 7:32:16 查看 阅读:19

STP140NF55是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的功率MOSFET技术,具有低导通电阻和高开关速度的特性,适用于多种高效能电力转换应用。STP140NF55的工作电压为55V,适合于需要高效率和低损耗的应用场景。
  这种MOSFET主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、电池保护电路以及负载切换等场合。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:140A
  导通电阻(典型值):2.9mΩ
  栅极电荷:87nC
  输入电容:3280pF
  开关时间:ton=9ns,toff=15ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

STP140NF55具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效减少传导损耗。
  2. 高额定电流能力,适合大功率应用。
  3. 快速开关性能,降低开关损耗。
  4. 良好的热稳定性,能够在宽温度范围内可靠工作。
  5. 符合RoHS标准,环保设计。
  6. 小封装尺寸,节省PCB空间。

应用

STP140NF55广泛用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电动工具中的电机驱动
  4. 汽车电子系统中的负载切换
  5. 工业自动化设备中的功率控制
  6. 大功率LED驱动电路
  7. 各种电池保护和管理电路

替代型号

IRFZ44N
  FDP140AN
  IXYS IXFN140N55T2

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STP140NF55参数

  • 其它有关文件STP140NF55 View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 40A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs142nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5300pF @ 25V
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-4370-5