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STP13NM60ND 发布时间 时间:2025/7/22 5:35:41 查看 阅读:9

STP13NM60ND是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET设计用于高电压、高电流的应用场合,具备较高的开关速度和较低的导通电阻,适用于需要高效能功率管理的系统。STP13NM60ND采用TO-220封装,适用于各种工业和消费类电子产品。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):13A
  最大漏-源极电压(VDS):600V
  导通电阻(RDS(on)):最大值为0.45Ω
  栅极电压范围:±20V
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-220

特性

STP13NM60ND具有多种关键特性,使其适用于高要求的功率管理应用。首先,该器件具备较低的导通电阻(RDS(on)),在高温环境下仍能保持较低的传导损耗,提高整体系统的能效。其次,该MOSFET具有较高的耐压能力,最大漏-源极电压可达600V,适用于高压环境下的稳定运行。
  此外,STP13NM60ND采用了先进的平面条形工艺技术,增强了器件的可靠性和热稳定性。其封装形式为TO-220,具备良好的散热性能,可以在高电流负载下保持稳定的工作状态。该器件还具备较快的开关速度,减少开关损耗,适用于高频开关应用。
  STP13NM60ND还具有较高的抗雪崩能力和较强的短路耐受能力,能够在极端工作条件下提供更高的安全性与稳定性。此外,该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,支持常见的10V至20V驱动电压,便于与多种驱动电路兼容。

应用

STP13NM60ND广泛应用于多种电力电子系统中,例如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机驱动器、照明控制系统(如电子镇流器)、逆变器以及工业自动化设备。由于其高耐压能力和低导通电阻特性,该器件非常适合用于高效率电源转换系统,如AC/DC电源适配器、离线电源模块以及LED照明驱动电路。
  在新能源领域,STP13NM60ND也可用于太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块中,提供稳定高效的电力转换支持。此外,该MOSFET还可用于家电中的电机控制电路,如变频空调、洗衣机等,实现更高效的能量管理和更精确的电机控制。

替代型号

STP16NM60ND, STP10NM60ND, STW15NM60ND

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STP13NM60ND参数

  • 现有数量94现货
  • 价格1 : ¥31.64000管件
  • 系列FDmesh? II
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)11A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)380 毫欧 @ 5.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)24.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)845 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)109W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220
  • 封装/外壳TO-220-3