STP13NM60ND 时间：2025/7/22 5:35:41 阅读：9

STP13NM60ND是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET设计用于高电压、高电流的应用场合，具备较高的开关速度和较低的导通电阻，适用于需要高效能功率管理的系统。STP13NM60ND采用TO-220封装，适用于各种工业和消费类电子产品。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：13A
　　最大漏-源极电压（VDS）：600V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为0.45Ω
　　栅极电压范围：±20V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

特性

STP13NM60ND具有多种关键特性，使其适用于高要求的功率管理应用。首先，该器件具备较低的导通电阻（RDS(on)），在高温环境下仍能保持较低的传导损耗，提高整体系统的能效。其次，该MOSFET具有较高的耐压能力，最大漏-源极电压可达600V，适用于高压环境下的稳定运行。
　　此外，STP13NM60ND采用了先进的平面条形工艺技术，增强了器件的可靠性和热稳定性。其封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，可以在高电流负载下保持稳定的工作状态。该器件还具备较快的开关速度，减少开关损耗，适用于高频开关应用。
　　STP13NM60ND还具有较高的抗雪崩能力和较强的短路耐受能力，能够在极端工作条件下提供更高的安全性与稳定性。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至20V驱动电压，便于与多种驱动电路兼容。

应用

STP13NM60ND广泛应用于多种电力电子系统中，例如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器、照明控制系统（如电子镇流器）、逆变器以及工业自动化设备。由于其高耐压能力和低导通电阻特性，该器件非常适合用于高效率电源转换系统，如AC/DC电源适配器、离线电源模块以及LED照明驱动电路。
　　在新能源领域，STP13NM60ND也可用于太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块中，提供稳定高效的电力转换支持。此外，该MOSFET还可用于家电中的电机控制电路，如变频空调、洗衣机等，实现更高效的能量管理和更精确的电机控制。