STP13NM60ND是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET设计用于高电压、高电流的应用场合,具备较高的开关速度和较低的导通电阻,适用于需要高效能功率管理的系统。STP13NM60ND采用TO-220封装,适用于各种工业和消费类电子产品。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):13A
最大漏-源极电压(VDS):600V
导通电阻(RDS(on)):最大值为0.45Ω
栅极电压范围:±20V
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-220
STP13NM60ND具有多种关键特性,使其适用于高要求的功率管理应用。首先,该器件具备较低的导通电阻(RDS(on)),在高温环境下仍能保持较低的传导损耗,提高整体系统的能效。其次,该MOSFET具有较高的耐压能力,最大漏-源极电压可达600V,适用于高压环境下的稳定运行。
此外,STP13NM60ND采用了先进的平面条形工艺技术,增强了器件的可靠性和热稳定性。其封装形式为TO-220,具备良好的散热性能,可以在高电流负载下保持稳定的工作状态。该器件还具备较快的开关速度,减少开关损耗,适用于高频开关应用。
STP13NM60ND还具有较高的抗雪崩能力和较强的短路耐受能力,能够在极端工作条件下提供更高的安全性与稳定性。此外,该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,支持常见的10V至20V驱动电压,便于与多种驱动电路兼容。
STP13NM60ND广泛应用于多种电力电子系统中,例如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机驱动器、照明控制系统(如电子镇流器)、逆变器以及工业自动化设备。由于其高耐压能力和低导通电阻特性,该器件非常适合用于高效率电源转换系统,如AC/DC电源适配器、离线电源模块以及LED照明驱动电路。
在新能源领域,STP13NM60ND也可用于太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块中,提供稳定高效的电力转换支持。此外,该MOSFET还可用于家电中的电机控制电路,如变频空调、洗衣机等,实现更高效的能量管理和更精确的电机控制。
STP16NM60ND, STP10NM60ND, STW15NM60ND