STP13NM60N 时间：2025/7/23 3:11:30 阅读：3

STP13NM60N是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制、照明系统以及其他需要高效率功率开关的场合。该器件具有高耐压、低导通电阻和高电流容量的特点，适用于多种中高功率应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：13A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω（最大值）
　　功耗（Ptot）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK

特性

STP13NM60N具备多项优异的电气性能和可靠性特征。其高耐压能力（600V Vds）使其适用于高电压输入环境，如交流电源转换系统。该器件的导通电阻较低，最大为0.45Ω，在导通状态下可有效降低功率损耗，提高系统效率。
　　该MOSFET支持高达13A的连续漏极电流，具备较强的电流承载能力，适合高功率密度设计。此外，其最大功耗为150W，表明其在高温环境下仍能保持良好的热稳定性。
　　STP13NM60N采用TO-220和D2PAK封装形式，具备优良的散热性能，便于在多种PCB布局中使用。其栅极驱动电压范围较宽，兼容标准MOSFET驱动电路，降低了驱动电路的设计难度。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行，从而提高系统的可靠性和寿命。其工作温度范围宽广，适用于工业级和汽车电子等严苛环境中的应用。

应用

STP13NM60N适用于多种功率电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC变换器、电机驱动器、LED照明驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。
　　在开关电源中，该MOSFET可用于主开关或同步整流器，以提高整体效率和减小电源体积。在电机控制应用中，它可用于H桥驱动电路，实现对电机方向和速度的精确控制。
　　此外，STP13NM60N也可用于太阳能逆变器和不间断电源（UPS）等新能源相关设备，确保在高电压和大电流条件下的稳定运行。其高可靠性和良好的热管理特性使其成为汽车电子系统中功率模块的理想选择，例如车载充电器（OBC）和电池管理系统（BMS）等。
　　由于其封装形式的通用性，STP13NM60N也常用于实验和原型开发，便于工程师进行电路测试和优化。