时间：2025/8/6 0:52:48
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IXPQ74N20P 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）推出的功率 MOSFET 器件，属于 OptiMOS? 系列的一部分。该器件主要用于高效率功率转换应用，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关以及电机控制电路等。IXPQ74N20P 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，使其在高电流应用中表现出色。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：74A
最大漏源电压（Vds）：200V
导通电阻（Rds(on)）：约3.7mΩ（典型值，具体取决于Vgs）
栅极电压（Vgs）：±20V
功率耗散（Ptot）：180W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PG-TO263-3（表面贴装，D2PAK）
IXPQ74N20P 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。该器件采用了英飞凌的 OptiMOS? 技术，优化了器件的导通和开关性能。
此外，IXPQ74N20P 具有较高的电流承载能力，在连续漏极电流方面达到了74A，适用于高功率密度设计。该器件的封装设计（D2PAK）具有良好的热管理能力，可有效散热，确保在高温环境下稳定运行。
其栅极电压容限为 ±20V，允许在较宽的驱动电压范围内工作，同时具备较强的抗过压能力。此外，该MOSFET的开关速度快，适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸。
由于其优异的热稳定性和可靠性，IXPQ74N20P 非常适合在汽车电子、工业自动化、电源管理和电机控制等要求严苛的应用中使用。
IXPQ74N20P 广泛应用于各种高功率和高效率电源系统，如 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统等。其高电流能力和低导通电阻也使其成为电动工具、工业电源和通信设备的理想选择。此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和动力总成模块等。
IPW60R045C7, STP75NF75, FDPF74N20, IXPQ74N20P
