STP11NM60AFP 时间：2025/7/22 9:06:23 阅读：6

STP11NM60AFP 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的StripFET?技术，具有低导通电阻和高开关性能，适用于高功率应用。该器件采用TO-220FP封装，具备良好的热管理和散热能力，适用于各种电源管理、功率转换和电机控制应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：11A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：600V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.65Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：3V 至 5V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220FP

特性

STP11NM60AFP 采用先进的StripFET?技术，提供非常低的导通电阻（RDS(on)），从而降低导通损耗，提高能效。
　　该器件具有高耐压能力（600V VDS），适用于中高功率应用，如开关电源、DC-DC转换器和电机驱动器。
　　TO-220FP封装提供良好的散热性能，确保在高电流工作条件下仍能保持稳定。
　　其快速开关特性减少了开关损耗，提高了整体系统效率。
　　该MOSFET具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在高应力条件下的可靠性。
　　内置的体二极管可提供反向电流保护，适用于感性负载控制应用。

应用

STP11NM60AFP 常用于电源转换器、开关电源（SMPS）、DC-AC逆变器、电机控制、照明镇流器以及工业自动化设备中的功率开关应用。
　　由于其高电压和高电流能力，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的工业与消费类电子产品中。
　　在可再生能源系统（如太阳能逆变器）和电动汽车充电系统中，STP11NM60AFP 也可作为关键的功率开关元件使用。
　　此外，它还可用于电池管理系统、UPS不间断电源以及各类电源管理模块。