MJ50AC100 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。这款 MOSFET 以其高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性著称,适用于电源转换、电机控制、逆变器和工业自动化设备等场合。MJ50AC100 采用 TO-247 封装形式,具有较高的电流承载能力和散热性能,能够在较宽的温度范围内稳定工作。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(VDS):100V
最大漏极电流(ID):50A
导通电阻(RDS(on)):约 0.026Ω(典型值)
栅极电荷(Qg):约 120nC(典型值)
最大功耗(PD):300W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247
MJ50AC100 MOSFET 具备多项优异的电气和热性能特性。首先,其低导通电阻(RDS(on))使其在导通状态下损耗极低,有助于提高系统的整体效率并减少散热需求。其次,该器件的高耐压能力(100V)和大电流承载能力(50A)使其适用于中高功率的开关应用,如 DC-DC 转换器、同步整流器和电机驱动电路。
此外,MJ50AC100 采用了先进的平面工艺制造技术,确保了器件的稳定性和可靠性。其较高的栅极电荷值意味着在高频开关应用中需要较强的驱动能力,因此在设计驱动电路时应特别注意栅极驱动的功率需求。
该 MOSFET 的 TO-247 封装形式具备良好的散热性能,有助于在高功率密度设计中保持较低的工作温度,从而延长器件的使用寿命。同时,其宽工作温度范围(-55°C 至 +175°C)使其能够在恶劣的工业环境中稳定运行。
在短路和过载保护方面,MJ50AC100 表现出较强的鲁棒性,但仍然建议在系统设计中加入适当的电流限制和温度保护机制,以确保长期运行的可靠性。
MJ50AC100 MOSFET 主要应用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统中。常见的应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电池充电器、电机控制器、逆变器、不间断电源(UPS)、工业自动化设备和电动工具等。
在开关电源中,MJ50AC100 可作为主开关或同步整流器,用于提高电源转换效率并减少发热。在电机驱动系统中,它可用于 H 桥结构实现正反转控制,其高电流能力和低导通损耗有助于提高系统的响应速度和效率。
由于其优异的热性能和可靠性,MJ50AC100 也常用于汽车电子系统,如电动车的电池管理系统(BMS)和车载充电器。此外,在可再生能源系统中,如太阳能逆变器和储能系统中,该 MOSFET 也可作为功率开关使用,确保系统的高效运行。
IRF540N, FDP5030BL, FQA50N10