时间：2025/6/12 14:36:05
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STP11N65M2 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沣道沟道功率场效应晶体管（Power MOSFET）。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点。STP11N65M2 适用于各种高电压应用场合，如电机驱动、开关电源、DC-DC 转换器和逆变器等。
该 MOSFET 的封装形式为 TO-247，能够提供出色的散热性能和机械稳定性，使其非常适合要求苛刻的工业和汽车应用环境。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：11A
栅极电荷：95nC
导通电阻：2.2Ω
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
存储温度范围：-55℃ 至 +175℃
STP11N65M2 具有以下显著特性：
1. 高击穿电压（650V），适合高压应用环境。
2. 低导通电阻（2.2Ω），有助于减少功率损耗并提高效率。
3. 快速开关能力，使得该器件能够在高频条件下运行，从而减小外部元件尺寸。
4. 强大的雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. TO-247 封装设计，提供优异的热管理和电气连接性能。
STP11N65M2 广泛应用于多种领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 工业自动化设备中的电机驱动和控制电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
4. 家用电器及消费类电子产品中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的继电器替代和电池管理单元。
IRFP250N, FQA11N65C
