时间：2025/7/23 0:14:13
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STP110N8F7 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅场截止（Trench Field-Stop）技术，提供出色的导通和开关性能。STP110N8F7 主要用于高功率应用，例如电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及工业自动化设备中。该MOSFET具有低导通电阻、高耐压能力、良好的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：80V
最大漏极电流(Id)：110A
导通电阻(Rds(on))：5.2mΩ @ Vgs=10V
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.7V @ Id=250μA
最大栅极电压：±20V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-220
安装类型：通孔
STP110N8F7 MOSFET采用了先进的Trench Field-Stop技术，这使得其在保持低导通损耗的同时，还具备优异的开关性能。该器件的Rds(on)仅为5.2mΩ，在Vgs=10V时，可以显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。此外，其高达80V的漏源击穿电压使其适用于中高功率应用，如电池管理系统、电机驱动和电源模块。
该MOSFET的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。其栅极驱动电压范围较宽，支持标准的10V至15V驱动电压，兼容常见的MOSFET驱动器。STP110N8F7还具备良好的抗雪崩能力和过热稳定性，确保在严苛工作环境下的可靠运行。
在开关特性方面，STP110N8F7具有较低的输入和输出电容，使其在高频开关应用中表现出色。同时，它的上升时间和下降时间短，有助于减少开关损耗，提高系统的响应速度。这些特性使其非常适合用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及各种高效率功率转换电路。
STP110N8F7广泛应用于各种高功率电子系统中。常见用途包括工业电源、电机驱动器、DC-DC转换器、电池管理系统、不间断电源（UPS）、电动工具、电动汽车充电模块以及各种类型的功率开关电路。由于其优异的导通和开关性能，该器件也适用于需要高效率和高可靠性的汽车电子系统和工业自动化设备。
IPW90R150P7, FDP110N80, STP110N8F7AG
