时间：2025/5/7 12:51:56
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STP110N8F6是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景中。其低导通电阻和高效率特性使其成为众多功率应用的理想选择。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：110A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：43nC
功耗：175W
工作温度范围：-55℃ to 150℃
STP110N8F6具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（4.5mΩ），能够显著降低导通损耗并提升系统效率。
2. 高额定电流能力（110A），适用于大功率应用。
3. 符合RoHS标准，环保设计。
4. 快速开关性能，支持高频开关操作。
5. 具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
6. 提供出色的雪崩能力和鲁棒性，确保在异常条件下的安全性。
7. TO-220封装便于安装和散热管理。
STP110N8F6适合用于以下应用场景：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关元件。
2. DC-DC转换器的同步整流或降压电路。
3. 电机驱动中的逆变器或斩波器电路。
4. 各类负载开关及保护电路。
5. 工业设备中的功率控制模块。
6. 太阳能逆变器以及其他新能源相关领域。
IRFZ44N
STP100N10
IXYS IXFN100N10T2
