时间：2025/6/16 10:31:30
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STP10P6F6 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 治道功率 MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种功率转换应用。其封装形式为 TO-220，便于散热和安装。
STP10P6F6 的主要特点在于能够提供较高的电流处理能力和较低的导通损耗，非常适合于工业控制、电源适配器、电机驱动以及开关电源等应用场合。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：10A
导通电阻：35mΩ
栅极电荷：14nC
开关速度：快速
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55℃ to 175℃
STP10P6F6 的导通电阻较低，仅为 35mΩ，这使其在高电流应用中表现出色，并且可以显著降低功耗。
该器件还具有快速的开关速度，有助于提高效率并减少开关损耗。
另外，STP10P6F6 的工作温度范围宽广（-55℃ 至 +175℃），使其能够在极端环境条件下稳定运行。
其 TO-220 封装设计确保了良好的散热性能，从而进一步提高了可靠性。
此外，该器件符合 RoHS 标准，满足环保要求。
STP10P6F6 广泛应用于需要高效功率转换的各种场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业自动化设备
5. 充电器与适配器
6. LED 照明驱动
由于其优异的电气特性和可靠性，该器件是许多功率敏感型应用的理想选择。
STP10NF6,
IRFZ44N,
FDP5580
