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STP100NF04 发布时间 时间:2025/5/30 10:21:57 查看 阅读:7

STP100NF04是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-220封装形式,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,适用于多种功率转换应用。STP100NF04的工作电压为40V,适合在开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景中使用。
  STP100NF04的主要特点是其出色的热性能和电气性能,使其能够承受高负载条件下的持续运行。同时,其低导通电阻有助于减少功率损耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压:40V
  最大连续漏极电流:100A
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  总功耗:216W
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-220

特性

STP100NF04是一款高性能的功率MOSFET,其主要特性包括:
  1. 高电流承载能力,最大连续漏极电流可达100A。
  2. 极低的导通电阻,典型值为3.5mΩ,这使得它非常适合用于高效率功率转换电路。
  3. 宽工作结温范围(-55℃至+175℃),能够在极端温度条件下稳定运行。
  4. 快速开关速度,有助于降低开关损耗。
  5. 具备出色的热性能,确保在高功率应用中的可靠性。
  这些特性使STP100NF04成为许多工业和消费电子领域功率管理应用的理想选择。

应用

STP100NF04广泛应用于各种需要高效功率管理的场景,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动
  4. 电池充电器
  5. 工业自动化设备
  6. 电动工具
  由于其高电流处理能力和低导通电阻,STP100NF04特别适合用于要求高效率和高可靠性的功率转换应用。

替代型号

IRFZ44N
  STP160NF06L
  FDP180N06L

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STP100NF04参数

  • 其它有关文件STP100NF04 View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C120A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.6 毫欧 @ 50A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs150nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5100pF @ 25V
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-7497-5STP100NF04-ND