时间：2025/12/28 15:52:27
阅读：6
STN4416B是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET，专为高效率、高频率开关应用设计。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和优秀的开关性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及马达控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：160A（在Tc=25°C）
漏极功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-220AB、D2PAK（TO-263AB）
导通电阻（Rds(on)）：典型值为7.5mΩ（在Vgs=10V）
栅极电荷（Qg）：约150nC
输入电容（Ciss）：约3200pF
STN4416B具有极低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
该MOSFET采用先进的沟槽结构设计，使其在高频应用中表现出色，适用于高开关频率的电源转换器。
其高电流容量和低热阻特性确保在高功率密度应用中保持稳定运行。
内置的快速恢复体二极管可提升在反向电流情况下的性能表现。
该器件符合RoHS环保标准，并具备较高的可靠性，适用于工业级和汽车级应用。
STN4416B的栅极驱动电压范围宽，兼容标准逻辑电平驱动，适用于多种驱动电路设计。
STN4416B广泛应用于各类功率电子设备中，包括但不限于：
? 高效率DC-DC降压/升压转换器
? 同步整流器电路
? 电池管理系统（BMS）
? 电机驱动与控制电路
? 负载开关与电源管理模块
? 工业自动化设备与伺服驱动器
? 新能源系统如太阳能逆变器和储能系统
STP150N6F6, IRF1404, STN4416K, STN4416AK
