SK3G02 时间：2025/8/23 13:04:07 阅读：4

SK3G02 是一款由 SK Hynix（现为 MagnaChip）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等领域。该器件采用先进的平面工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流承载能力的特点，适用于中高功率应用场景。SK3G02 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，封装形式通常为 TO-252（DPAK）或类似的表面贴装封装，便于在 PCB 上安装和散热。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：110A（在25°C下）
　　导通电阻(Rds(on))：约2.9mΩ（当Vgs=10V时）
　　最大功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

SK3G02 的核心优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其2.9mΩ的Rds(on)在Vgs=10V时表现出色，适用于高电流应用，如服务器电源、DC-DC转换器和电池管理系统。
　　该MOSFET支持高达110A的连续漏极电流，具备良好的热稳定性和高电流承受能力，适合用于需要高功率密度的设计。此外，SK3G02具有良好的热阻性能，其封装设计有助于快速散热，从而提升器件的可靠性和寿命。
　　SK3G02还具备快速开关特性，能够适应高频开关电源的需求，降低开关损耗。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的负担，提高整体系统的响应速度和效率。
　　该器件的封装形式（如TO-252）便于表面贴装，适用于自动化生产流程，并具有良好的机械稳定性和热性能，适合工业级和汽车电子应用。

应用

SK3G02 主要应用于需要高效率、高电流和低导通电阻的功率电子系统中。典型应用包括同步整流DC-DC降压/升压转换器、服务器电源、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车控制系统、电机驱动器和负载开关控制等。
　　在服务器和通信设备电源中，SK3G02用于高效率的电源转换模块，以满足高电流和低电压的需求。在电池管理系统中，它可用于电池充放电控制和保护电路。在电机控制和电动工具中，该MOSFET可作为高侧或低侧开关，实现高效的功率控制。
　　此外，SK3G02也可用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）、光伏逆变器以及汽车电子系统中的功率管理模块。