时间：2025/5/7 14:53:35
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STN1NK80Z是意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TOLL封装，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关和DC-DC转换器等应用中。STN1NK80Z具有低导通电阻和高雪崩能力的特点，能够在高频和高效率的电路设计中表现优异。
这款MOSFET在性能和可靠性方面表现突出，适用于需要高电流处理能力和低损耗的应用场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：237A
导通电阻：1.05mΩ
栅极电荷：148nC
总电容：6940pF
工作结温范围：-55℃ to 175℃
封装类型：TOLL
STN1NK80Z是一款高度优化的功率MOSFET，其主要特点包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗，提高整体系统效率。
2. 高额定电流能力，支持高达237A的连续漏极电流，满足高功率应用需求。
3. 采用先进的制造工艺，确保器件在高温环境下保持稳定的工作性能。
4. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和抗过载能力。
5. TOLL封装形式，提供卓越的散热性能和易于焊接安装的便利性。
这些特性使得STN1NK80Z非常适合用于要求高效能和高可靠性的电力电子应用中。
STN1NK80Z主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如服务器电源、工业电源等。
2. 电机驱动控制，包括电动车窗、座椅调节等汽车应用以及家用电器中的电机控制。
3. DC-DC转换器，用于笔记本电脑适配器、通信电源等。
4. 负载开关，特别是在需要快速开关响应和低功耗的场景中。
5. 电池管理系统（BMS），用于保护电池免受过流和短路的影响。
总之，STN1NK80Z凭借其高性能和可靠性，成为许多电力电子应用的理想选择。
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