时间：2025/5/13 15:27:09
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2SK3078是一种N沟道MOSFET晶体管，主要用于高频和射频应用。它具有低导通电阻、高增益和良好的线性特性，广泛应用于射频放大器、混频器以及其他射频电路中。
该器件适用于需要高性能的射频功率放大器设计，特别是在VHF和UHF频段内表现优异。此外，2SK3078还具有较强的耐用性和可靠性，适合在恶劣环境下使用。
类型：N沟道MOSFET
最大耗散功率：15W
漏源击穿电压：60V
栅极阈值电压：-1.5V to -4.0V
漏极电流（连续）：2A
跨导：3500μS
输入电容：500pF
输出电容：400pF
结电容：250pF
封装形式：TO-39
2SK3078具有以下主要特性：
1. 高增益性能，在射频应用中表现出色。
2. 低导通电阻，有助于提高效率。
3. 线性度好，可减少失真。
4. 工作频率范围宽，适合VHF和UHF频段。
5. 封装紧凑且散热性能良好，便于集成到射频模块中。
6. 可靠性高，能够承受较高的瞬态电压和电流冲击。
2SK3078的主要应用领域包括：
1. 射频功率放大器
2. 混频器
3. 调制解调器
4. 无线通信设备
5. 业余无线电发射机
6. 测试与测量仪器中的信号放大
7. 其他需要高性能射频放大的场合
2SK2915, 2SK2307
