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2SK3078 发布时间 时间:2025/5/13 15:27:09 查看 阅读:32

2SK3078是一种N沟道MOSFET晶体管,主要用于高频和射频应用。它具有低导通电阻、高增益和良好的线性特性,广泛应用于射频放大器、混频器以及其他射频电路中。
  该器件适用于需要高性能的射频功率放大器设计,特别是在VHF和UHF频段内表现优异。此外,2SK3078还具有较强的耐用性和可靠性,适合在恶劣环境下使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大耗散功率:15W
  漏源击穿电压:60V
  栅极阈值电压:-1.5V to -4.0V
  漏极电流(连续):2A
  跨导:3500μS
  输入电容:500pF
  输出电容:400pF
  结电容:250pF
  封装形式:TO-39

特性

2SK3078具有以下主要特性:
  1. 高增益性能,在射频应用中表现出色。
  2. 低导通电阻,有助于提高效率。
  3. 线性度好,可减少失真。
  4. 工作频率范围宽,适合VHF和UHF频段。
  5. 封装紧凑且散热性能良好,便于集成到射频模块中。
  6. 可靠性高,能够承受较高的瞬态电压和电流冲击。

应用

2SK3078的主要应用领域包括:
  1. 射频功率放大器
  2. 混频器
  3. 调制解调器
  4. 无线通信设备
  5. 业余无线电发射机
  6. 测试与测量仪器中的信号放大
  7. 其他需要高性能射频放大的场合

替代型号

2SK2915, 2SK2307

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