类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：300V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：80A（在Tc=25℃时）
　　功耗（PD）：500W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　存储温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：TO-247
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为0.047Ω（典型值为0.040Ω，VGS=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：约130nC
　　输入电容（Ciss）：约2800pF

IXFT80N30P3具有多项优异的电气和热性能特点，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，该MOSFET具有低导通电阻（RDS(on)），在VGS=10V时，典型值为0.040Ω，最大不超过0.047Ω。低RDS(on)意味着在导通状态下，MOSFET的功率损耗较低，从而提高了整体系统的效率，并减少了散热需求。
　　其次，该器件的漏源电压（VDS）额定值为300V，适用于中高压应用，如工业电源、DC-DC转换器和不间断电源（UPS）系统。其连续漏极电流（ID）可达80A，在高温条件下仍能保持稳定工作，适合高电流负载的场景。
　　此外，IXFT80N30P3采用了TO-247封装，具有良好的热传导性能，能够有效将热量从芯片传导至散热器，确保器件在高功率环境下稳定运行。封装还具备良好的机械强度和电气隔离性能，增强了器件的可靠性和耐用性。
　　该MOSFET还具备快速开关能力，栅极电荷（Qg）约为130nC，输入电容（Ciss）约为2800pF，适用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）和电机驱动器，能够有效降低开关损耗并提高系统响应速度。
　　最后，IXFT80N30P3的栅源电压（VGS）范围为±20V，确保了在各种驱动条件下器件的安全运行，同时具备较强的抗过压能力，适用于复杂电磁环境中的工业控制系统。

IXFT80N30P3广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。
　　在电源管理领域，该MOSFET常用于高功率DC-DC转换器、AC-DC电源模块和开关电源（SMPS），其低导通电阻和高电流能力可显著提升电源转换效率，并减少热管理成本。
　　在电机控制和驱动系统中，IXFT80N30P3可用于H桥电路、直流电机驱动器和伺服控制系统，其快速开关特性能够实现精确的电机控制，并减少开关损耗。
　　此外，该器件也适用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）和储能系统，其高耐压和高电流能力使其能够在恶劣环境下稳定运行。
　　在新能源领域，IXFT80N30P3可用于太阳能逆变器、风力发电变流器以及电动汽车充电设备，满足高效率、高可靠性的电力转换需求。
　　由于其优异的电气性能和坚固的封装结构，IXFT80N30P3也被广泛应用于测试设备、工业加热系统和高功率LED驱动器等多样化应用场合。

IXFN80N30P3、IXFH80N30P3、IRFP460LC、STP80NF30