制造商：AMD
　　产品系列：Am29F
　　存储容量：1 Mbit (128 K × 8 bit)
　　电源电压：4.5V ~ 5.5V
　　访问时间：55 ns
　　工作电流：典型值 20 mA（读取模式）
　　待机电流：典型值 100 μA
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　封装类型：44-pin PLCC
　　擦除方式：按块（Block）或整片（Chip）擦除
　　编程方式：字节编程
　　擦写耐久性：≥ 100,000 次
　　数据保持期：≥ 10 年
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

AM29F010B-55JD具备多项关键特性，使其在当时的嵌入式系统设计中广受欢迎。首先，其高速55ns的访问时间确保了处理器能够在全速运行下直接从该Flash中执行代码（XIP，eXecute In Place），显著提升了系统响应速度和整体性能。这种并行8位接口设计提供了比早期串行EEPROM更高的数据吞吐率，特别适用于需要频繁读取固件的应用场景。其次，该芯片采用分块擦除结构，将128KB的地址空间划分为16个4KB的小块和8个32KB的大块，允许用户灵活地进行局部擦除操作，避免了整片擦除带来的不便，提高了固件更新效率。同时，它支持软件受保护模式，通过写入特定命令序列激活后，可防止意外的编程或擦除操作，增强了系统的稳定性与安全性。
　　另外，AM29F010B内置了自动编程和自动擦除算法，简化了外部控制器的操作流程。一旦接收到相应的命令，芯片内部逻辑会自动完成电压调节、定时控制和验证过程，无需主控持续干预，从而减轻了CPU负担并降低了软件复杂度。其TTL电平兼容输出可以直接连接到大多数微处理器的数据总线，减少了外围元件数量，有利于紧凑型电路设计。在功耗方面，该器件在待机模式下仅消耗约100μA电流，有助于延长电池供电设备的工作时间。虽然其主要工作电压为5V，限制了在现代低电压系统中的直接替换，但这一电压标准在当时是主流配置，确保了广泛的系统兼容性。此外，AM29F010B-55JD具备优异的环境适应性和长期数据保持能力，经过严格的老化测试，可在商业级温度范围内稳定运行，适合部署于工业现场或恶劣环境中。这些综合特性使得该芯片成为上世纪90年代至2000年代初期许多主板、工控模块和网络设备中的首选Flash解决方案。

AM29F010B-55JD广泛应用于多种需要可靠非易失性存储的电子系统中。最常见的用途之一是作为个人计算机主板上的BIOS（基本输入输出系统）存储器，用于保存启动代码、硬件初始化程序和系统设置信息。由于其快速读取能力和高可靠性，系统上电后能够迅速加载BIOS指令，保障计算机的正常启动流程。此外，在嵌入式控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床和自动化仪表，该芯片常被用来存储固件程序和配置参数，即使在断电后也能长期保留关键数据。
　　在通信领域，AM29F010B-55JD也被用于路由器、交换机和调制解调器等设备中，作为引导程序（Bootloader）的存储介质，确保设备在重启时能正确加载操作系统内核。在消费类电子产品方面，例如老式游戏机、多媒体播放器和智能家电中，该芯片可用于存放应用程序代码和用户界面资源。由于其并行接口支持随机访问，适合需要快速定位和读取特定代码段的场景。
　　此外，在工业维修和设备升级过程中，工程师经常使用该型号进行BIOS刷写或固件替换，因其引脚定义符合标准且易于采购（在停产前）。一些开发板和教学实验平台也采用此芯片作为存储模块的教学实例，帮助学生理解Flash存储器的工作原理和编程方法。尽管当前主流趋势已转向SPI NOR Flash等低引脚数、低功耗器件，但在老旧设备维护、逆向工程和兼容性改造项目中，AM29F010B-55JD仍然具有实际应用价值。

MBM29F010B-55PFV