时间：2024/4/29 16:36:53
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STM32H7B3VIT6是基于高性能Arm?Cortex?-M7 32RISC核心，工作频率高达280MHz。Cortex?-M7核心有一个浮点单元(FPU)，支持Arm?双精度(IEEE754兼容)和单精度数据处理指令和数据类型。STM32H7B3VIT6设备支持全套DSP指令和内存保护单元(MPU)，提高应用安全性。STM32H7B3VIT6设备包括高速嵌入式存储器，包括大约1.4兆字节的RAM(包括192兆字节的TCMRAM、1.18兆字节的用户SRAM和4兆字节的备份SRAM)，以及广泛的增强I/O和外围设备，连接4条APB总线，3条AHB总线，32位多AHB总线矩阵，32位多AHB总线矩阵，32位多AHB总线矩阵，3位多AHB总线矩阵，3位多AHB总线矩阵，3位，32位多AHB总线。STM32H7B3VIT6提供两个ADC，两个DAC(一个双DAC和一个DAC)，两个超低功率比较器，一个低功率RTC，12个通用16位定时器，两个PWM定时器用于电机控制，三个低功率定时器，一个真正的随机数发生器(RNG)，一个密码加速器单元和一个HASH处理器。该装置支持9个数字滤波器，用于外部sigmadelta调制器(DFSDM)。还有标准的高级通信接口。
32位ArmCortex-M7内核，双精度FPU和L1缓存:
16kbytes的数据和16kbytes的指令缓存，允许填满一个缓存
在单行访问128位嵌入式闪存;频率了
到280 MHz, MPU, 599 DMIPS/ 2.14 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)，和DSP
指令
记忆
2mbyte的闪存，支持读写，加上1kbyte的OTP
内存
~1.4 mb的RAM: TCM RAM的192 kb(包括ITCM RAM +的64 kb)
128 Kbytes DTCM RAM用于时间关键例程)，1.18 Mbytes用户SRAM，
以及备份域4kbytes的SRAM
2倍的Octo-SPI内存接口与动态解密，I/O多路复用和
支持串行PSRAM/NOR, Hyper RAM/flash帧格式，运行到
SRD模式140mhz, DTR模式110mhz
灵活的外部存储控制器，高达32位数据总线:
- SRAM, PSRAM, NOR闪存时钟高达125 MHz在
同步模式
-内部/ LPSDR更快
- 8/16位NAND闪存
CRC计算单元
安全
ROP, PC-ROP，主动篡改，安全固件升级支持，安全访问
模式
通用输入/输出
多达168个I/O端口，具有中断能力
—快速I/ o，最高可达133mhz
—支持164个5- v -容I/ o
低功率消耗
停止:减少到32个全内存保留的μA
备用:2.8μA (Backup SRAM OFF, RTC/LSE ON, PDR OFF)
VBAT: 0.8μA (RTC和LSE ON)
时钟管理
内部振荡器:64 MHz HSI, 48 MHz HSI48, 4 MHz CSI, 32 kHz LSI
外部振荡器:4-50 MHz HSE, 32.768 kHz LSE
带分数模式的3×锁相环(1用于系统时钟，2用于内核时钟)
商品分类 | MCU微控制器 | 程序存储容量 | 2MB（2M x 8） |
品牌 | ST(意法半导体) | 程序存储器类型 | 闪存 |
封装 | 100-LQFP（14x14） | EEPROM容量 | - |
商品标签 | 高性能MCU | RAM大小 | 1.4M x 8 |
核心处理器 | ARM Cortex-M7 | 电压-供电(Vcc/Vdd) | 1.62V ~ 3.6V |
内核规格 | 32-位 | 数据转换器 | A/D 16x16b; D/A 3x12b |
速度 | 280MHz | 振荡器类型 | 内部 |
连接能力 | 摄像头，CANbus，EBI/EMI，HDMI-CEC，I2C，IrDA，LINbus，MDIO，MMC/SD/SDIO，PSSI，SAI，SPDIF，SPI，SWPMI，UART/USART，USB OTG | 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
外设 | 欠压检测/复位，DMA，I2S，LCD，POR，PWM，WDT | 安装类型 | 表面贴装型 |
I/O数 | 80 | 基本产品编号 | STM32 |
湿气敏感性等级(MSL) | 3（168 小时） | HTSUS | 8542.31.0001 |
ECCN | 5A992C | REACH状态 | 非 REACH 产品 |
STM32H7B3VIT6原理图
STM32H7B3VIT6引脚图
STM32H7B3VIT6封装
STM32H7B3VIT6丝印
STM32H7B3VIT6料号解释
