时间：2025/8/6 5:29:01
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LSIC1MO120E0080 是一款由 Littelfuse（前身为 IXYS）制造的碳化硅（SiC）功率MOSFET，适用于高功率密度和高效率的电力电子系统。该器件基于宽禁带半导体技术，能够在高温、高频和高电压条件下稳定运行，广泛用于电动汽车（EV）、可再生能源系统、工业电源和储能系统。
类型：SiC 功率 MOSFET
漏源电压（VDS）：1200V
漏极电流（ID）：80A
导通电阻（RDS(on)）：100mΩ
封装类型：TO-247
栅极电压范围：-10V 至 +20V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
热阻（RthJC）：0.6°C/W
封装尺寸：TO-247-3
LSIC1MO120E0080 采用先进的碳化硅技术，具有出色的导热性能和低导通损耗。其高击穿电压和低RDS(on)使其在高压应用中表现出色，同时在高频开关环境下仍能保持高效率。此外，该MOSFET具备卓越的抗短路能力和高温稳定性，适合严苛的工作环境。
该器件的快速开关特性降低了开关损耗，从而提高了整体系统效率。其坚固的封装设计和内部结构优化，确保在极端温度和负载条件下依然稳定运行。LSIC1MO120E0080还具有优异的dv/dt抗扰能力，适用于高噪声环境。
另外，LSIC1MO120E0080的栅极驱动电压范围宽，允许使用标准的MOSFET驱动电路进行控制，简化了系统设计并降低了成本。其低寄生电感封装结构也有助于提升高频性能，减少开关损耗和EMI干扰。
LSIC1MO120E0080 广泛应用于电动汽车的OBC（车载充电器）、DC-DC转换器、逆变器、太阳能逆变器、储能系统以及工业电机驱动和UPS系统。其高可靠性和高效率使其成为下一代高功率密度电源系统的理想选择。
SiC1MO120E1080, SCT3080ALHRC11, C3M0065090J
