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IXBT12N300 发布时间 时间:2025/8/6 7:45:50 查看 阅读:26

IXBT12N300 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道双极型晶体管(MOSFET),主要用于高电压和高电流的应用场景。这款晶体管具备良好的热稳定性和高效的开关性能,适用于诸如电源转换器、逆变器、电机驱动器等高功率电子设备。IXBT12N300 采用了 TO-247 封装,确保了其在高温和高电流下的可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):3000V
  最大漏极电流(Id):12A
  最大栅极电压(Vgs):±20V
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-247

特性

IXBT12N300 具有极高的耐压能力,最大漏源电压可达3000V,这使其非常适合用于高电压环境。其12A的最大漏极电流能力确保了它在高功率应用中能够承受较大的电流负载。
  该晶体管的栅极电压范围为±20V,具备良好的栅极保护能力,防止过电压对器件造成损害。此外,IXBT12N300 的开关特性非常出色,具有快速的导通和关断时间,减少了开关损耗,提高了系统的整体效率。
  器件的封装形式为TO-247,这种封装不仅提供了良好的散热性能,还便于安装在散热器上,进一步增强了其在高功率应用中的可靠性。TO-247封装还具有较高的机械强度,能够承受一定的机械应力,适合工业应用环境。
  IXBT12N300 的工作温度范围为-55°C至+150°C,能够在极端温度条件下正常工作,适用于各种恶劣的环境条件。

应用

IXBT12N300 主要应用于高功率电子设备,如电力电子转换器、直流-交流逆变器、电机控制器、工业电源系统等。在电力电子转换器中,IXBT12N300 被用于高效地将直流电转换为交流电,或者将一种电压等级的直流电转换为另一种电压等级的直流电。在逆变器中,该晶体管用于将直流电源转换为可变频率和可变电压的交流电源,广泛应用于太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中。
  此外,IXBT12N300 还可用于电机驱动器中,控制电机的转速和扭矩。由于其高耐压和高电流能力,该晶体管能够在高负载条件下稳定运行,确保电机系统的可靠性和效率。
  在工业电源系统中,IXBT12N300 可用于构建高效的电源模块,提供稳定的电源输出。其快速的开关特性和良好的热稳定性使其在高频开关应用中表现出色,减少了能量损耗并提高了系统的效率。

替代型号

IXBT16N300, IXGT12N300

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IXBT12N300参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列BIMOSFET™
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)3000V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3.2V @ 15V,12A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)30A
  • 功率 - 最大160W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
  • 供应商设备封装TO-268
  • 包装管件