SKIIP26NAB066V10是一种高性能的IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块,由赛米控(SEMIKRON)公司生产。该模块集成了多个IGBT器件和反向并联的二极管,适用于高功率和高频率的应用场景。它采用了先进的封装技术,具备优异的热性能和电气性能,能够在恶劣的工作环境下稳定运行。
类型:IGBT模块
最大集电极-发射极电压(VCES):600V
额定集电极电流(IC):26A
工作温度范围:-40°C至+150°C
短路耐受能力:典型值为10μs
最大工作频率:100kHz
封装形式:双列直插式(DIP)
导通压降:典型值为2.1V
热阻(Rth):约1.2 K/W
SKIIP26NAB066V10具有多个显著的特性,使其在各种高功率应用中表现出色。首先,该模块采用了先进的IGBT芯片技术,使得导通压降低,开关损耗小,从而提高了整体效率。其次,模块的封装设计优化了热管理性能,确保在高负载条件下仍能保持稳定的运行。此外,该模块具有良好的短路保护能力,能够承受一定的短路电流而不损坏,提高了系统的可靠性。模块还具有良好的绝缘性能,符合国际标准,确保了在高压环境下的安全运行。最后,模块的封装结构紧凑,便于安装和散热,适用于各种紧凑型设计。
该模块广泛应用于工业电机驱动、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、电动汽车充电设备、电力储能系统以及家电变频器等领域。由于其优异的电气和热性能,特别适用于需要高效能和高可靠性的场合。
SKM26NAB066V10、FS26NAB066V10、FF26NAB066V10