时间：2024/4/12 17:37:57
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STM32G474VBT6高性能Arm?Cortex?-M4 32位RISC内核。它们的工作频率高达170MHz。Cortex-M4内核具有单精度浮点单元(FPU)，支持所有Arm单精度数据处理指令和所有数据类型。它还实现了一整套DSP(数字信号处理)指令和一个增强应用程序安全性的存储器保护单元(MPU)。 STM32G474VBT6嵌入了高速存储器(512 KB的闪存和128 KB的SRAM)、用于静态存储器的灵活外部存储器控制器(FSMC)(适用于100引脚及以上封装的设备)、Quad SPI闪存接口以及连接到两条APB总线、两条AHB总线和32位多AHB总线矩阵的大量增强型I/O和外围设备。这些设备还为嵌入式闪存和SRAM嵌入了几种保护机制：读出保护、写入保护、安全存储区域和专有代码读出保护。
STM32G474VBT6嵌入了允许数学/算术函数加速的外围设备(CORDIC用于三角函数，FMAC单元用于滤波函数)。STM32G474VBT6提供五个快速12位ADC(5 Msps)、七个比较器、六个运算放大器、七个DAC通道(3个外部和4个内部)、一个内部电压参考缓冲器、一个低功耗RTC、两个通用32位定时器、三个专用于电机控制的16位PWM定时器、七个通用16位定时器、一个16位低功耗定时器以及184 ps分辨率的高分辨率定时器。
核心：Arm32位Cortex-M4 CPU，带FPU，
自适应实时加速器(ART加速器)，允许0等待状态执行
来自闪存，频率高达170 MHz，具有213 DMIPS、MPU、DSP指令
操作条件：
–VDD、VDDA电压范围：1.71 V至3.6 V
数学硬件加速器
–CORDIC用于三角函数加速
–FMAC：过滤数学加速器
记忆
–512 KB闪存，带ECC
支持，两个存储体读写
专有代码读出保护
(PCROP)，安全存储区，1K字节OTP
–96 KB SRAM，具有硬件奇偶校验
在前32 KB上执行检查
–常规升压器：32 KB SRAM
指令和数据总线，带有硬件奇偶校验(CCM SRAM)
–用于静态的外部存储器接口
存储器FSMC支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器
–四路SPI存储器接口
重置和供应管理
–通电/断电复位(POR/PDR/BOR)
–可编程电压检测器(PVD)
–低功耗模式：睡眠、停止、待机和关机
–RTC和备份寄存器的VBAT电源
时钟管理
–4至48 MHz晶体振荡器
–32 kHz振荡器，带校准
–内部16 MHz RC，带PLL选项(±1%)
–内部32 kHz RC振荡器(±5%)
多达107个快速I/O
–所有可映射到外部中断向量
–几个具有5 V耐受能力的I/O
互连矩阵
16通道DMA控制器
5 x 12位ADC 0.25μs，最多42个通道。
分辨率高达16位，硬件过采样，0至3.6 V转换范围
7 x 12位DAC通道
–3个缓冲外部通道1 MSPS
–4个无缓冲内部通道15 MSPS
7个超快轨对轨模拟比较器
6个运算放大器，可用于
PGA模式，所有终端均可访问
内部电压参考缓冲器(VREFBUF)支持三个输出电压(2.048V、2.5V、2.9V)
| 商品分类 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | 100-LQFP（14x14） | 包装 | 托盘 |
| 核心处理器 | ARM Cortex-M4F | 内核规格 | 32-位 |
| 速度 | 170MHz | 连接能力 | CANbus，I2C，IrDA，LINbus，QSPI，SPI，UART/USART |
| 外设 | 欠压检测/复位，DMA，I2S，POR，PWM，WDT | I/O数 | 86 |
| 程序存储容量 | 128KB（128K x 8） | 程序存储器类型 | 闪存 |
| EEPROM容量 | - | RAM大小 | 128K x 8 |
| 电压-供电(Vcc/Vdd) | 1.71V ~ 3.6V | 数据转换器 | A/D 42x12b; D/A 7x12b |
| 振荡器类型 | 内部 | 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 基本产品编号 | STM32 |
| HTSUS | 0000.00.0000 | 产品应用 | 高性能MCU |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 3（168 小时） | RoHS状态 | 符合 ROHS3 规范 |
| REACH状态 | 非 REACH 产品 |
STM32G474VBT6原理图
STM32G474VBT6引脚图
STM32G474VBT6封装
STM32G474VBT6丝印
STM32G474VBT6料号解释
