STM32G473VET6是基于高性能的Arm?Cortex-M4 32位RISC核心。STM32G473VET6的工作频率高达170兆赫。Cortex-M4核心采用单精度浮点单元(FPU),支持所有Arm单精度数据处理指令和所有数据类型。它还实现了一套完整的DSP(数字信号处理)指令和内存保护单元(MPU),提高了应用程序的安全性。
STM32G473VET6嵌入高速存储器(Flash存储器512Kbytes和SRAM128Kbytes),一个QuadSPIFlash存储器接口,以及广泛的增强I/O和外围设备连接到两个APB总线,两个AHB总线和一个32位的多AHB总线矩阵。嵌入式闪存和SRAM的几种保护机制:读出保护、写入保护、安全存储区和专有代码读出保护。
STM32G473VET6嵌入了允许数学/算术函数加速的外围设备(用于三角函数的CORDIC和用于滤波函数的FMAC单元)。
STM32G473VET6提供5个快速12位adc(5个MSPS),7个比较器,6个运算放大器,7个DAC通道(3个外部和4个内部),一个内部电压参考缓冲器,一个低功率RTC,2-3个通用32位定时器,3个16位定时器专用于电机控制,7个通用16位定时器,16位定时器。
核心:Arm32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART加速器)允许0等待状态执行从闪存,频率高达170兆赫兹具有213 DMIPS、MPU、DSP指令
操作条件:
- VDD、VDDA电压范围:
1.71 V ~ 3.6 V
数学硬件加速器
-三角函数的CORDIC加速度
—FMAC:滤波数学加速器
记忆
—512kbytes带ECC的闪存支持,两家银行读写,专有代码读出保护(PCROP),安全的存储区域,1千字节OTP
- 96千字节的SRAM,具有硬件奇偶校验对前32 kb执行检查
-常规加强器:32kbytes的SRAM指令和数据总线,带有硬件奇偶校验(CCM SRAM)
—外部内存接口,用于静态记忆FSMC支持SRAM,PSRAM, NOR和NAND存储器
—quadl - spi内存接口
重置和供应管理
-加电/省电复位(/ PDR / BOR)
-可编程电压检测器(PVD)
—低功耗模式:休眠、停止、待机和关闭
- VBAT供应RTC和备份寄存器
时钟管理
- 4到48 MHz晶体振荡器
- 32千赫振荡器校准
-内部16 MHz RC带锁相环选项(±1%)
-内部32 kHz RC振荡器(±5%)
多达107个快速I/ o
-所有可映射的外部中断向量
-多个I/ o 5v容错能力
互连矩阵
16通道DMA控制器
5个12位adc 0.25μs,最多42个通道。硬件分辨率高达16位过采样,0 ~ 3.6 V转换范围
7个12位DAC通道
- 3个外部缓冲通道1个MSPS
- 4个未缓冲的内部通道15 MSPS
7倍超高速铁路到铁路模拟比较器
6倍运算放大器,可用于PGA模式,所有终端可访问
内部电压参考缓冲器(VREFBUF)支持三个输出电压(2.048 V,2.5 v, 2.9 v)
14定时器:
- 2个32位定时器和2个16位定时器多达四个IC/OC/PWM或脉冲计数器和正交(增量)编码器输入
- 3个16位8通道先进电机控制定时器,高达8倍PWM
商品分类 | MCU微控制器 | 程序存储容量 | 512KB(512K x 8) |
品牌 | ST(意法半导体) | 程序存储器类型 | 闪存 |
封装 | 100-LQFP(14x14) | EEPROM容量 | - |
商品标签 | 高性能MCU | RAM大小 | 128K x 8 |
核心处理器 | ARM Cortex-M4 | 电压-供电(Vcc/Vdd) | 1.71V ~ 3.6V |
内核规格 | 32-位 | 数据转换器 | A/D 42x12b; D/A 4x12b |
速度 | 170MHz | 振荡器类型 | 内部 |
连接能力 | CANbus,I2C,IrDA,LINbus,QSPI,SAI,SPI,UART/USART,USB | 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
外设 | 欠压检测/复位,DMA,I2S,POR,PWM,WDT | 安装类型 | 表面贴装型 |
I/O数 | 86 | 基本产品编号 | STM32 |
湿气敏感性等级(MSL) | 3(168 小时) | RoHS状态 | 符合 ROHS3 规范 |
ECCN | 3A991A2 | REACH状态 | 非 REACH 产品 |
HTSUS | 8542.31.0001 |
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STM32G473VET6原理图
STM32G473VET6引脚图
STM32G473VET6封装
STM32G473VET6丝印
STM32G473VET6料号解释