BUK956R1-100E 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种功率转换和电机驱动应用。其额定电压为100V,能够满足多种工业和消费类电子设备的需求。
该MOSFET广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池保护等领域,凭借其卓越的电气特性和可靠性,在业界享有良好的声誉。
最大漏源电压:100V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:43A
导通电阻:1.3mΩ
总栅极电荷:75nC
输入电容:3180pF
工作结温范围:-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提高系统效率。
2. 高开关速度设计,减少了开关损耗,适用于高频应用。
3. 良好的热稳定性,能够在高温环境下保持稳定性能。
4. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。
5. 紧凑的封装形式(TO-247),便于散热设计和电路板布局。
1. 开关电源(SMPS)
2. 电机驱动控制
3. DC-DC转换器
4. 电池管理系统(BMS)
5. 工业自动化设备中的负载切换
6. 电动汽车和混合动力汽车的功率模块
IRFZ44N
STP10NK60Z
FDP15U20AE
IXTH10N10T2