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BUK956R1-100E 发布时间 时间:2025/7/8 21:15:09 查看 阅读:13

BUK956R1-100E 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种功率转换和电机驱动应用。其额定电压为100V,能够满足多种工业和消费类电子设备的需求。
  该MOSFET广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池保护等领域,凭借其卓越的电气特性和可靠性,在业界享有良好的声誉。

参数

最大漏源电压:100V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:43A
  导通电阻:1.3mΩ
  总栅极电荷:75nC
  输入电容:3180pF
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提高系统效率。
  2. 高开关速度设计,减少了开关损耗,适用于高频应用。
  3. 良好的热稳定性,能够在高温环境下保持稳定性能。
  4. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。
  5. 紧凑的封装形式(TO-247),便于散热设计和电路板布局。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. 电机驱动控制
  3. DC-DC转换器
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 工业自动化设备中的负载切换
  6. 电动汽车和混合动力汽车的功率模块

替代型号

IRFZ44N
  STP10NK60Z
  FDP15U20AE
  IXTH10N10T2

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