DMN6140L 时间：2025/5/24 15:11:55 阅读：3

DMN6140L 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的制造工艺设计，具有低导通电阻和快速开关特性。该器件通常用于需要高效率和低损耗的应用场景，例如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等。
　　DMN6140L 的小型化封装（如 LLP2.0x2.5）使其非常适合空间受限的设计，并且能够提供出色的热性能和电气性能。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：4.8A
　　导通电阻（Rds(on)）：7mΩ（典型值，在 Vgs=4.5V 时）
　　栅极电荷：1.9nC（典型值）
　　反向恢复时间：10ns（典型值）
　　工作结温范围：-55℃ 至 +150℃

特性

DMN6140L 提供了低导通电阻以减少传导损耗，从而提高整体效率。其快速开关能力使其适用于高频应用环境，同时减少了开关损耗。此外，该器件的栅极驱动要求较低，简化了电路设计并降低了驱动功耗。
　　由于采用了先进封装技术，DMN6140L 具备良好的散热性能，能够在高温环境下稳定运行。它还具有较强的抗 ESD（静电放电）能力，提高了产品的可靠性和耐用性。
　　另外，该 MOSFET 的低电容特性有助于降低开关节点的振荡风险，确保系统稳定性。

应用

DMN6140L 广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中，具体包括但不限于以下领域：
　　1. 便携式设备中的电源管理模块，如智能手机和平板电脑充电器。
　　2. 各类 DC-DC 转换器和降压转换器电路。
　　3. 笔记本电脑及服务器内的负载开关。
　　4. 小功率电机驱动电路，例如风扇或泵控制器。
　　5. LED 驱动器和其他需要高效开关功能的场合。