时间：2024/4/15 17:15:52
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STM32G431R8T6设备基于高性能Arm?Cortex?-M4 32位RISC内核。它们的工作频率高达170MHz。Cortex-M4内核具有单精度浮点单元(FPU)，支持所有Arm单精度数据处理指令和所有数据类型。它还实现了一整套DSP(数字信号处理)指令和一个增强应用程序安全性的存储器保护单元(MPU)。
STM32G431R8T6嵌入了高速存储器(128 KB的闪存和32 KB的SRAM)、广泛的增强型I/O和连接到两条APB总线、两条AHB总线和32位多AHB总线矩阵的外围设备。STM32G431R8T6还为嵌入式闪存和SRAM嵌入了几种保护机制：读出保护、写入保护、安全存储区域和专有代码读出保护。
STM32G431R8T6嵌入了允许数学/算术函数加速的外围设备(CORDIC用于三角函数，FMAC单元用于滤波函数)。STM32G431R8T6提供两个快速12位ADC(5 Msps)、四个比较器、三个运算放大器、四个DAC通道(两个外部和两个内部)、一个内部电压参考缓冲器、一个低功耗RTC、一个通用32位定时器、两个专用于电机控制的16位PWM定时器、七个通用16位定时器和一个16位低功耗定时器。
核心：Arm?32位Cortex?-M4 CPU，带FPU，
自适应实时加速器(ART加速器)，允许0等待状态执行
来自闪存，频率高达170 MHz，具有213 DMIPS、MPU、DSP指令
操作条件：
–VDD、VDDA电压范围：1.71 V至3.6 V
数学硬件加速器
–CORDIC用于三角函数加速
–FMAC：过滤数学加速器
记忆
–128 KB闪存，带ECC
支持、专有代码读出保护(PCROP)，
安全存储区，1K字节OTP
–22 KB SRAM，具有硬件奇偶校验
在前16 KB上执行检查
–常规升压器：10 KB SRAM
指令和数据总线，带有硬件奇偶校验(CCM SRAM)
重置和供应管理
–通电/断电复位(POR/PDR/BOR)
–可编程电压检测器(PVD)
–低功耗模式：睡眠、停止、待机和关机
–RTC和备份寄存器的VBAT电源
时钟管理
–4至48 MHz晶体振荡器
–32 kHz振荡器，带校准
–内部16 MHz RC，带PLL选项(±1%)
–内部32 kHz RC振荡器(±5%)
多达86个快速I/O
–所有可映射到外部中断向量
–几个具有5 V耐受能力的I/O
互连矩阵
12通道DMA控制器
2个ADC 0.25μs(最多23个通道)。
硬件分辨率高达16位
过采样，0至3.6V转换范围
4 x 12位DAC通道
–2个缓冲外部通道1 MSPS
–2个无缓冲的内部通道15 MSPS
4个超快轨对轨模拟比较器
3个运算放大器，可用于
PGA模式，所有终端均可访问
内部电压参考缓冲器(VREFBUF)支持三个输出电压(2.048V、2.5V、2.9V)
| 商品分类 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | 64-LQFP（10x10） | 包装 | 托盘 |
| 核心处理器 | ARM Cortex-M4 | 内核规格 | 32-位 |
| 速度 | 170MHz | 连接能力 | CANbus，I2C，IrDA，LINbus，SPI，UART/USART |
| 外设 | 欠压检测/复位，DMA，I2S，POR，PWM，WDT | I/O数 | 52 |
| 程序存储容量 | 64KB（64K x 8） | 程序存储器类型 | 闪存 |
| EEPROM容量 | - | RAM大小 | 32K x 8 |
| 电压-供电(Vcc/Vdd) | 1.71V ~ 3.6V | 数据转换器 | A/D 23x12b; D/A 4x12b |
| 振荡器类型 | 内部 | 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 基本产品编号 | STM32 |
| 产品应用 | 高性能MCU |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 3（168 小时） | RoHS状态 | 符合 ROHS3 规范 |
| REACH状态 | 非 REACH 产品 |
STM32G431R8T6原理图
STM32G431R8T6引脚图
STM32G431R8T6封装
STM32G431R8T6丝印
STM32G431R8T6料号解释
