时间：2024/4/19 14:52:18
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STM32F756VGT6采用高性能ARM?Cortex?-M7 32位RISC内核，工作频率高达216 MHz。Cortex?-M7内核具有单浮点单元(SFPU)精度，支持所有ARM?单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个增强应用程序安全性的内存保护单元(MPU)。
STM32F756VGT6包含高速嵌入式存储器，闪存高达1兆字节，320千字节SRAM(包括用于关键实时数据的64千字节数据TCM RAM)，16千字节指令TCM RAM(用于关键实时例程)，4千字节备份SRAM，在最低功耗模式下可用，以及连接到两条APB总线的大量增强型I/O和外围设备，两个AHB总线、32位多AHB总线矩阵和支持内部和外部存储器访问的多层AXI互连。
STM32F756VGT6均提供三个12位ADC、两个DAC、一个低功耗RTC、十三个通用16位定时器(包括两个用于电机控制的PWM定时器和一个可用于停止模式的低功耗定时器)、两个通用32位定时器、一个真随机数发生器(RNG)和一个加密加速单元。
核心：ARM32位Cortex-M7 CPU，带FPU、自适应实时加速器(ART加速器) 和L1缓存：4KB数据缓存和4KB指令缓存，允许从嵌入式闪存和外部存储器执行0等待状态，频率高达216 MHz，MPU，462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。
记忆
–高达1MB的闪存
–1024字节OTP内存
–SRAM:320KB(包括64KB数据TCM RAM，用于关键实时数据)+16KB指令TCM RAM(用于关键实时例程)+4KB的备份SRAM(在最低功耗模式下可用)
–灵活的外部存储器控制器，最多支持32位数据总线：SRAM、PSRAM、，
SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND存储器
双模四路SPI
LCD并行接口，8080/6800模式
LCD-TFT控制器，分辨率高达XGA，配备专用Chrom ART加速器 对于
增强图形内容创建(DMA2D)
时钟、复位和电源管理
–1.7 V至3.6 V应用电源和I/O
–POR、PDR、PVD和BOR
–专用USB电源
–4至26 MHz晶体振荡器
–内部16 MHz工厂修整RC(1%精度)
–32 kHz振荡器，用于带校准的RTC
–内部32 kHz RC，带校准
低功耗
–睡眠、停止和待机模式
–RTC的VBAT电源，32×32位备份
寄存器+4KB备份SRAM
3×12位、2.4 MSPS ADC：在三重交织模式下最多24个通道和7.2 MSPS
2×12位D/A转换器
最多18个定时器：最多13个16位(1个低功耗16位定时器在停止模式下可用)和
两个32位定时器，每个定时器最多有4个IC/OC/PWM或脉冲计数器和正交(增量)编码器输入。
电机驱动和应用控制
医疗设备
工业应用：PLC、逆变器、断路器
打印机和扫描仪
报警系统、视频对讲系统和HVAC
家用音频设备
移动应用程序、物联网
可穿戴设备：智能手表
| 商品分类 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | 100-LQFP（14x14） | 包装 | 托盘 |
| 核心处理器 | ARM Cortex-M7 | 内核规格 | 32-位 |
| 速度 | 216MHz | 连接能力 | CANbus，以太网，HDMI-CEC，I2C，IrDA，LINbus，MMC/SD，SAI，SPDIFRX，SPI，UART/USART，USB OTG |
| 外设 | 欠压检测/复位，DMA，LCD，POR，PWM，WDT | I/O数 | 82 |
| 程序存储容量 | 1MB（1M x 8） | 程序存储器类型 | 闪存 |
| EEPROM容量 | - | RAM大小 | 320K x 8 |
| 电压-供电(Vcc/Vdd) | 1.7V ~ 3.6V | 数据转换器 | A/D 16x12b；D/A 2x12b |
| 振荡器类型 | 内部 | 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 基本产品编号 | STM32F756 |
| HTSUS | 8542.31.0001 | 商品标签 | 通用类MCU |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 3（168 小时） | ECCN | 5A992C |
| RoHS状态 | 符合 ROHS3 规范 | REACH状态 | 非 REACH 产品 |
STM32F756VGT6原理图
STM32F756VGT6引脚图
STM32F756VGT6封装
STM32F756VGT6丝印
STM32F756VGT6料号解释
