DD2R040HP2R500 是一款由东芝(Toshiba)制造的IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块,专为高功率应用设计。这款模块集成了两个IGBT芯片和相应的二极管,适用于需要高效能和高可靠性的工业设备和电力电子系统。DD2R040HP2R500具有高电流容量、低导通压降和出色的热性能,使其成为电力转换和电机控制应用的理想选择。
集电极-发射极电压(VCES):1200V
额定集电极电流(IC):400A
短路耐受电流:500A(10μs)
工作温度范围:-40°C至+150°C
导通压降(VCE_sat):约2.5V(典型值)
封装类型:双列直插式封装(Dual-in-line Package, DIP)
绝缘材料:陶瓷基板
安装方式:螺钉固定
最大功耗:150W
DD2R040HP2R500 是一款高性能的IGBT模块,具有多项显著的技术特性和优势。首先,其高集电极-发射极电压(VCES)为1200V,使其能够在高电压环境下稳定工作,适用于多种高压电力电子系统。该模块的额定集电极电流为400A,能够承受较大的负载电流,满足高功率需求。此外,DD2R040HP2R500 还具备500A的短路耐受能力(持续10μs),在短路情况下仍能保持良好的稳定性和安全性,降低了系统故障的风险。
在热性能方面,DD2R040HP2R500 采用了高效的散热设计,能够在-40°C至+150°C的宽温度范围内稳定运行,适应各种恶劣的工作环境。模块的导通压降(VCE_sat)典型值为2.5V,较低的导通压降意味着更小的能量损耗和更高的转换效率,这对于需要长时间运行的工业设备尤为重要。
该模块采用双列直插式封装(Dual-in-line Package, DIP),便于安装和维护。陶瓷基板提供了良好的绝缘性能和热导率,确保模块在高功率运行时的稳定性。螺钉固定方式增强了模块的机械强度,适用于振动较大的工业环境。此外,DD2R040HP2R500 的最大功耗为150W,能够在高负载条件下保持长时间稳定运行,确保系统的可靠性和耐用性。
DD2R040HP2R500 主要应用于高功率电力电子设备,包括工业电机驱动、变频器、不间断电源(UPS)、焊接设备、电能质量调节系统以及新能源发电系统(如风力发电和太阳能逆变器)。该模块的高电流容量和优异的短路保护能力,使其特别适合用于需要频繁开关和高可靠性的电机控制和电力转换系统。此外,DD2R040HP2R500 还广泛应用于电动汽车充电设备、电炉控制以及智能电网系统,为这些高功率应用场景提供高效、稳定的电力控制解决方案。
SKM400GB12T4, FF400R12KE4