P5NA50 时间：2025/7/23 1:06:28 阅读：8

P5NA50 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于电源管理和功率开关应用。该器件设计用于在高电压和大电流条件下提供高效能操作，适用于各种电源转换器、DC-DC 转换器、电机控制和电池管理系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）@25°C：5A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK（取决于具体子型号）

特性

P5NA50 MOSFET 具备多种关键特性，使其适用于广泛的功率电子应用。
　　首先，其高漏源电压（500V）和中等漏极电流（5A）使其适用于中高功率应用，例如开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。其导通电阻（RDS(on)）最大为1.2Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　其次，P5NA50 提供了良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定运行。其封装形式（如 TO-220 或 D2PAK）具有良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。
　　此外，该MOSFET具有较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下提供一定程度的保护，增强系统的稳定性。栅极驱动电压范围为±20V，使其兼容多种栅极驱动电路，包括常见的光耦隔离驱动和专用MOSFET驱动IC。
　　最后，P5NA50 还具有快速开关能力，适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸并提高系统响应速度。

应用

P5NA50 广泛应用于各种功率电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机驱动和电池充电器等。其高电压耐受能力和良好的导通性能使其成为工业电源、消费类电子产品电源模块以及家用电器中的理想选择。
　　在照明系统中，如LED驱动电源和电子镇流器，P5NA50可用于控制电流和电压的转换。同时，该器件也适用于太阳能逆变器和UPS（不间断电源）系统中的功率开关电路。
　　由于其封装形式适合焊接和散热管理，P5NA50 也常用于需要手动维护和安装的设备中。例如，在工业自动化控制板、智能电表和电机控制器中，P5NA50 提供了可靠的功率控制功能。