时间：2024/4/19 15:34:12
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STM32F722VCT6采用高性能Arm?Cortex?-M7 32位RISC内核，工作频率高达216 MHz。Cortex?-M7内核具有单浮点单元(SFPU)精度，支持Arm?单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个增强应用程序安全性的内存保护单元(MPU)。
STM32F722VCT6包含高速嵌入式存储器，闪存容量高达512 KB，SRAM容量为256 KB(包括用于关键实时数据的64 KB数据TCM RAM)，指令TCM RAM容量为16 KB(用于关键实时例程)，最低功耗模式下可用的4 KB备份SRAM，以及连接到两条APB总线、两条AHB总线、32位多AHB总线矩阵和支持内部和外部存储器访问的多层AXI互连的大量增强型I/O和外围设备。STM32F722VCT6提供三个12位ADC、两个DAC、一个低功耗RTC、十三个通用16位定时器(包括两个用于电机控制的PWM定时器)、两个通用32位定时器、一个真随机数发生器(RNG)。
核心：Arm32位Cortex-M7 CPU，带FPU、自适应实时加速器(ART
加速器)和一级缓存：8 KB数据
缓存和8 KB的指令缓存，允许从嵌入式执行0等待状态
闪存和外部存储器，频率高达216 MHz，MPU，
462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。
记忆
–高达512 KB的闪存
保护机制(读写保护、专有代码读出保护(PCROP))
–528字节OTP内存
–SRAM:256 KB(包括64 KB的
关键实时数据的数据TCM RAM)+
16 KB指令TCM RAM(用于关键实时例程)+4 KB备份SRAM(最低可用
电源模式)
–灵活的外部存储器控制器，最多支持32位数据总线：SRAM、PSRAM、，
SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAD存储器
双模四路SPI
时钟、复位和电源管理
–1.7 V至3.6 V应用电源和I/O
–POR、PDR、PVD和BOR
–专用USB电源
–4至26 MHz晶体振荡器
–内部16 MHz工厂修整RC(1%精度)
–32 kHz振荡器，用于带校准的RTC
–内部32 kHz RC，带校准
低功耗
–睡眠、停止和待机模式
–用于RTC的VBAT电源，32×32位备份寄存器+4 KB的备份SRAM
3×12位、2.4 MSPS ADC：在三重交织模式下最多24个通道和7.2 MSPS
2×12位D/A转换器
–最多18个定时器：最多13个16位(1个低功耗16位定时器在停止模式下可用)和两个32位定时器，每个定时器最多4个
IC/OC/PWM或脉冲计数器和正交(增量)编码器输入。所有15个定时器的运行频率最高可达216 MHz。
电机驱动和应用控制
医疗设备
工业应用：PLC、逆变器、断路器
打印机和扫描仪
报警系统、视频对讲系统和HVAC
家用音频设备
移动应用程序、物联网
可穿戴设备：智能手表
| 商品分类 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | 100-LQFP（14x14） | 包装 | 托盘 |
| 核心处理器 | ARM Cortex-M7 | 内核规格 | 32-位 |
| 速度 | 216MHz | 连接能力 | CANbus，EBI/EMI，I2C，IrDA，LINbus，MMC/SD，QSPI，SAI，SPI，UART/USART，USB |
| 外设 | 欠压检测/复位，DMA，I2S，POR，PWM，WDT | I/O数 | 82 |
| 程序存储容量 | 256KB（256K x 8） | 程序存储器类型 | 闪存 |
| EEPROM容量 | - | RAM大小 | 256K x 8 |
| 电压-供电(Vcc/Vdd) | 1.7V ~ 3.6V | 数据转换器 | A/D 16x12b；D/A 2x12b |
| 振荡器类型 | 内部 | 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 基本产品编号 | STM32F722 |
| HTSUS | 8542.31.0001 | 商品标签 | 通用类MCU |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 3（168 小时） | ECCN | 3A991A2 |
| RoHS状态 | 符合 ROHS3 规范 | REACH状态 | 非 REACH 产品 |
STM32F722VCT6原理图
STM32F722VCT6引脚图
STM32F722VCT6封装
STM32F722VCT6丝印
STM32F722VCT6料号解释
