STM3F49NIH6是基于高性能的Arm?Cortex?-M4 核心。32位RISC核心具有浮点单元(FPU)单精度,支持所有Arm令处理指数和数据类型。它还实现了完整的DSP指令和内存保护单元(MPU),提高了应用程序的安全性。
STM32F429NIH6包括高速嵌入式存储器(最大2mbyte闪存,最大256kbytesSRAM),最大4kbytes备份SRAM,广泛增强I/O和外围设备连接到两个APB总线,两个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。
STM32F429NIH6提供3个12位adc、2个dac、1个低功耗RTC、12个通用16位定时器,包括2个电机控制PWM定时器和2个通用32位定时器。它们还有标准和先进的通信界面。
内核:带有FPU的ARM?32位Cortex?-M4CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器(ART加速器?)、主频高达180MHz,MPU,能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz(Dhrystone2.1)的性能,具有DSP指令集。
存储器
–高达2MBFlash,组织为两个区,可读写同步
–高达256+4KB的SRAM,包括64-KB的CCM(内核耦合存储器)数据RAM
–具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDRSDRAM、CompactFlash/NOR/NAND存储器
LCD并行接口,兼容8080/6800模式
LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率,具有专用的Chrom-ARTAccelerator?,用于增强的图形内容创建(DMA2D)
时钟、复位和电源管理
–1.7V到3.6V供电和I/O
–POR、PDR、PVD和BOR
–4至26MHz晶振
–内置经工厂调校的16MHzRC振荡器(1%精度)
–带校准功能的32kHzRTC振荡器
–内置带校准功能的32kHzRC振荡器
低功耗
–睡眠、停机和待机模式
–VBAT可为RTC、20×32位备份寄存器+可选的4KB备份SRAM供电
3个12位、2.4MSPSADC:多达24通道,三重交叉模式下的性能高达7.2MSPS
2个12位D/A转换器
通用DMA:具有FIFO和突发支持的16路DMA控制器
多达17个定时器:12个16位定时器,和2个频率高达180MHz的32位定时器,每个定时器都带有4个输入捕获/输出比较/PWM,或脉冲计数器与正交(增量)编码器输入
调试模式
–SWD&JTAG接口
–Cortex-M4跟踪宏单元?
商品分类 | MCU微控制器 | 程序存储容量 | 2MB(2M x 8) |
品牌 | ST(意法半导体) | 程序存储器类型 | 闪存 |
封装 | 216-TFBGA(13x13) | EEPROM容量 | - |
商品标签 | 通用类MCU | RAM大小 | 256K x 8 |
核心处理器 | ARM Cortex-M4 | 电压-供电(Vcc/Vdd) | 1.8V ~ 3.6V |
内核规格 | 32-位 | 数据转换器 | A/D 24x12b; D/A 2x12b |
速度 | 180MHz | 振荡器类型 | 内部 |
连接能力 | CANbus,EBI/EMI,以太网,I2C,IrDA,LINbus,SPI,UART/USART,USB OTG | 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
外设 | 欠压检测/复位,DMA,I2S,LCD,POR,PWM,WDT | 安装类型 | 表面贴装型 |
I/O数 | 168 | 基本产品编号 | STM32F429 |
湿气敏感性等级(MSL) | 3(168 小时) | RoHS状态 | 符合 ROHS3 规范 |
ECCN | 3A991A2 | REACH状态 | 非 REACH 产品 |
HTSUS | 8542.31.0001 |
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STM32F429NIH6原理图
STM32F429NIH6引脚图
STM32F429NIH6封装
STM32F429NIH6丝印
STM32F429NIH6料号解释