时间：2025/8/13 12:01:19
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SLW18N50C是一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于高电压和高电流应用。这款MOSFET采用了先进的平面工艺技术，提供了卓越的性能和可靠性，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种工业设备中。SLW18N50C封装形式通常为TO-263（D2Pak）或TO-220，便于散热和安装，适合高功率密度的设计需求。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：500V
连续漏极电流（Id）：18A
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：约0.22Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装：TO-263（D2Pak）或TO-220
SLW18N50C具有低导通电阻特性，使得在高电流条件下功率损耗显著降低，提高了系统的整体效率。其高耐压能力（500V）使其非常适合用于高电压电源应用，如开关电源（SMPS）和逆变器。该MOSFET还具有良好的热稳定性和高电流承受能力，能够在极端工作条件下保持稳定性能。
此外，SLW18N50C的封装设计提供了优良的散热性能，有助于延长器件的使用寿命并提升系统可靠性。TO-263和TO-220封装都适合表面贴装和通孔安装，便于在不同应用场景中灵活使用。这款MOSFET还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高响应速度。这些特性使得SLW18N50C在高功率和高频率应用中表现出色。
SLW18N50C广泛应用于各种高电压和高功率电子设备中。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电机驱动器、工业自动化设备、照明系统以及电池管理系统。由于其高可靠性和优异的电气性能，它也被用于新能源领域，如太阳能逆变器和电动车充电系统。在这些应用中，SLW18N50C能够提供高效的功率转换和稳定的性能表现。
IRF840、FDPF18N50、STW18N50、STP18N50Z、FQP18N50C
