时间：2025/9/1 17:51:34
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HY27UF081G2A-TPCB 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的NAND闪存芯片，属于其NAND Flash存储器系列。这款芯片设计用于高密度数据存储应用，适用于需要可靠性和高性能的嵌入式系统和存储设备。该芯片采用小型TSOP封装，便于在各种电子设备中集成。
容量：1GB（128M x 8）
电压范围：2.7V 至 3.6V
接口类型：并行NAND
页面大小：512字节 + 16字节备用区
块大小：32页/块
封装类型：TSOP
工作温度：工业级（-40°C 至 +85°C）
技术工艺：MLC（多层单元）
读取速度：约50μs
写入速度：约200μs
HY27UF081G2A-TPCB 是一款具有高可靠性和耐用性的NAND闪存芯片，适用于需要长期数据存储和频繁读写操作的应用。该芯片支持MLC（多层单元）技术，提供较高的存储密度，同时保持了相对较低的成本。芯片内部的页面大小为512字节加上16字节的备用区域，允许存储额外的ECC（错误校正码）信息，从而提高数据完整性。
此外，该芯片支持32页/块的架构，便于高效的数据管理和擦除操作。并行NAND接口确保了高速数据传输，适用于需要快速读写的应用场景。芯片的工作电压范围为2.7V至3.6V，适合多种电源设计环境，并且支持宽温度范围操作（-40°C至+85°C），适用于工业级应用。TSOP封装形式使其易于集成到紧凑的电路板设计中。
HY27UF081G2A-TPCB 主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、手持设备、数字音频播放器、数码相机以及固态硬盘（SSD）等需要非易失性存储的场合。由于其具备较高的存储密度和较低的功耗，非常适合用于需要便携性和数据持久性的设备中。该芯片也常用于车载电子系统、医疗设备和通信设备中，以满足对数据存储和处理速度的高要求。
K9F1G08U0B-PCB0, TC58NVG1S3BFT00, MT29F1G08ABBEAH4-12
