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HY27UF081G2A-TPCB IC 发布时间 时间:2025/9/1 17:51:34 查看 阅读:6

HY27UF081G2A-TPCB 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的NAND闪存芯片,属于其NAND Flash存储器系列。这款芯片设计用于高密度数据存储应用,适用于需要可靠性和高性能的嵌入式系统和存储设备。该芯片采用小型TSOP封装,便于在各种电子设备中集成。

参数

容量:1GB(128M x 8)
  电压范围:2.7V 至 3.6V
  接口类型:并行NAND
  页面大小:512字节 + 16字节备用区
  块大小:32页/块
  封装类型:TSOP
  工作温度:工业级(-40°C 至 +85°C)
  技术工艺:MLC(多层单元)
  读取速度:约50μs
  写入速度:约200μs

特性

HY27UF081G2A-TPCB 是一款具有高可靠性和耐用性的NAND闪存芯片,适用于需要长期数据存储和频繁读写操作的应用。该芯片支持MLC(多层单元)技术,提供较高的存储密度,同时保持了相对较低的成本。芯片内部的页面大小为512字节加上16字节的备用区域,允许存储额外的ECC(错误校正码)信息,从而提高数据完整性。
  此外,该芯片支持32页/块的架构,便于高效的数据管理和擦除操作。并行NAND接口确保了高速数据传输,适用于需要快速读写的应用场景。芯片的工作电压范围为2.7V至3.6V,适合多种电源设计环境,并且支持宽温度范围操作(-40°C至+85°C),适用于工业级应用。TSOP封装形式使其易于集成到紧凑的电路板设计中。

应用

HY27UF081G2A-TPCB 主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、手持设备、数字音频播放器、数码相机以及固态硬盘(SSD)等需要非易失性存储的场合。由于其具备较高的存储密度和较低的功耗,非常适合用于需要便携性和数据持久性的设备中。该芯片也常用于车载电子系统、医疗设备和通信设备中,以满足对数据存储和处理速度的高要求。

替代型号

K9F1G08U0B-PCB0, TC58NVG1S3BFT00, MT29F1G08ABBEAH4-12

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