STM32F412RET6基于高性能Arm?Cortex?-M4 32位RISC内核,工作频率高达100 MHz。他们的Cortex?-M4内核具有浮点单元(FPU)单精度,支持所有Arm单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个增强应用程序安全性的内存保护单元(MPU)。 STM32F412RET6属于STM32动态效率? 产品线(结合了能效、性能和集成的产品),同时添加了一种新的创新功能,称为批处理采集模式(BAM),从而在数据批处理过程中节省更多的功耗。 STM32F412RET6包含高速嵌入式存储器(高达1兆字节的闪存,256千字节的SRAM),以及连接到两条APB总线、三条AHB总线和32位多AHB总线矩阵的大量增强型I/O和外围设备。 STM32F412RET6提供一个12位ADC、一个低功耗RTC、十二个通用16位定时器、两个用于电机控制的PWM定时器和两个通用32位定时器。
动态效率线与BAM(批量
收购模式)
核心:Arm32位Cortex-M4 CPU与FPU,
自适应实时加速器(ART
加速器)允许0等待状态执行
从闪存,频率高达100兆赫,
记忆保护装置,
125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1),
DSP指令
记忆
—最大1mbyte的Flash内存
—256kbyte的SRAM
-灵活的外部静态内存控制器
最多16位数据总线:SRAM, PSRAM,NOR闪存
-双模式Quad-SPI接口
LCD并口,8080/6800模式
时钟,重置和供应管理
- 1.7 V至3.6 V应用电源和I/ o
- POR, PDR, PVD和BOR
- 4- 26 MHz晶体振荡器
-内部16 MHz工厂修剪RC
- 32 kHz振荡器的RTC校准
-内部32 kHz RC校准
功耗
-运行:112μA/MHz(外围设备关闭)
-停止(闪光在停止模式,快速唤醒
时间):50 μ A Typ @ 25°C;75 μ A max@25°C
-停止(闪光灯在深度关机模式,
慢唤醒时间):低至18 μ A @25°C;40 μ A最大@25°C
-待机:2.4 μ A @25°C / 1.7 V无
清债信托公司;12 μ a @85°c @1.7 v
- VBAT电源RTC: 1μA @25°C
1×12-bit, 2.4 MSPS ADC:多达16个通道
2个数字滤波器sigma delta调制器,
4x PDM接口,立体声麦克风支持
通用DMA: 16流DMA
商品分类 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半导体) |
封装 | LQFP-64_10x10x05... | 包装 | 托盘 |
产品应用 | 通用类MCU | 核心处理器 | ARMCortex-M4 |
内核规格 | 32-位 | 速度 | 100MHz |
连接能力 | CANbus,EBI/EMI,I2C,IrDA,LINbus,MMC/SD/SDIO,QSPI,SPI,UART/USART,USBOTG | 外设 | 欠压检测/复位,DMA,I2S,LCD,POR,PWM,WDT |
I/O数 | 50 | 程序存储容量 | 512KB(512Kx8) |
程序存储器类型 | 闪存 | EEPROM容量 | - |
RAM大小 | 256Kx8 | 电压-供电(Vcc/Vdd) | 1.7V~3.6V |
数据转换器 | A/D16x12b | 振荡器类型 | 内部 |
工作温度 | -40°C~85°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
基本产品编号 | STM32 | HTSUS | 8542.31.0001 |
湿气敏感性等级(MSL) | 3(168小时) | ECCN | 3A991A2 |
RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | REACH状态 | 非REACH产品 |
STM32F412RET6原理图
STM32F412RET6引脚图
STM32F412RET6封装
STM32F412RET6丝印
STM32F412RET6料号解释