时间：2024/4/7 17:38:12
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STM32F412RET6基于高性能Arm?Cortex?-M4 32位RISC内核，工作频率高达100 MHz。他们的Cortex?-M4内核具有浮点单元(FPU)单精度，支持所有Arm单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个增强应用程序安全性的内存保护单元(MPU)。 STM32F412RET6属于STM32动态效率? 产品线(结合了能效、性能和集成的产品)，同时添加了一种新的创新功能，称为批处理采集模式(BAM)，从而在数据批处理过程中节省更多的功耗。 STM32F412RET6包含高速嵌入式存储器(高达1兆字节的闪存，256千字节的SRAM)，以及连接到两条APB总线、三条AHB总线和32位多AHB总线矩阵的大量增强型I/O和外围设备。 STM32F412RET6提供一个12位ADC、一个低功耗RTC、十二个通用16位定时器、两个用于电机控制的PWM定时器和两个通用32位定时器。
动态效率线与BAM(批量
收购模式)
核心:Arm32位Cortex-M4 CPU与FPU，
自适应实时加速器(ART
加速器)允许0等待状态执行
从闪存，频率高达100兆赫，
记忆保护装置，
125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)，
DSP指令
记忆
—最大1mbyte的Flash内存
—256kbyte的SRAM
-灵活的外部静态内存控制器
最多16位数据总线:SRAM, PSRAM,NOR闪存
-双模式Quad-SPI接口
LCD并口，8080/6800模式
时钟，重置和供应管理
- 1.7 V至3.6 V应用电源和I/ o
- POR, PDR, PVD和BOR
- 4- 26 MHz晶体振荡器
-内部16 MHz工厂修剪RC
- 32 kHz振荡器的RTC校准
-内部32 kHz RC校准
功耗
-运行:112μA/MHz(外围设备关闭)
-停止(闪光在停止模式，快速唤醒
时间):50 μ A Typ @ 25°C;75 μ A max@25°C
-停止(闪光灯在深度关机模式，
慢唤醒时间):低至18 μ A @25°C;40 μ A最大@25°C
-待机:2.4 μ A @25°C / 1.7 V无
清债信托公司;12 μ a @85°c @1.7 v
- VBAT电源RTC: 1μA @25°C
1×12-bit, 2.4 MSPS ADC:多达16个通道
2个数字滤波器sigma delta调制器，
4x PDM接口，立体声麦克风支持
通用DMA: 16流DMA
| 商品分类 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | LQFP-64_10x10x05... | 包装 | 托盘 |
| 产品应用 | 通用类MCU | 核心处理器 | ARMCortex-M4 |
| 内核规格 | 32-位 | 速度 | 100MHz |
| 连接能力 | CANbus，EBI/EMI，I2C，IrDA，LINbus，MMC/SD/SDIO，QSPI，SPI，UART/USART，USBOTG | 外设 | 欠压检测/复位，DMA，I2S，LCD，POR，PWM，WDT |
| I/O数 | 50 | 程序存储容量 | 512KB（512Kx8） |
| 程序存储器类型 | 闪存 | EEPROM容量 | - |
| RAM大小 | 256Kx8 | 电压-供电(Vcc/Vdd) | 1.7V~3.6V |
| 数据转换器 | A/D16x12b | 振荡器类型 | 内部 |
| 工作温度 | -40°C~85°C（TA） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 基本产品编号 | STM32 | HTSUS | 8542.31.0001 |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 3（168小时） | ECCN | 3A991A2 |
| RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | REACH状态 | 非REACH产品 |
STM32F412RET6原理图
STM32F412RET6引脚图
STM32F412RET6封装
STM32F412RET6丝印
STM32F412RET6料号解释
