时间：2025/8/6 6:43:25
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IXFP18N60X是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），由IXYS公司制造。该器件设计用于高电压和高电流应用，如开关电源、电机控制、逆变器和电源管理。IXFP18N60X采用TO-247封装形式，具备较高的热稳定性和电气性能。
最大漏极电流：18A
最大漏极-源极电压：600V
导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω
栅极电荷：78nC
最大功耗：160W
工作温度范围：-55°C至150°C
IXFP18N60X具有低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高效率。该器件的高耐压能力（600V）使其适用于高电压应用环境。此外，IXFP18N60X具有快速开关特性，可减少开关损耗，提高系统响应速度。其TO-247封装提供良好的热管理和机械稳定性，适用于工业级应用。该MOSFET还具有较低的栅极电荷，有助于提高开关频率并减少驱动电路的负担。
IXFP18N60X广泛应用于开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动、照明系统、充电器和电源管理系统等领域。该器件的高耐压和高电流能力使其适用于需要高功率密度的设计。
IXFH18N60X，IRFP460，STP18N60M5，FQA18N60
