STM32F103VCT6TR性能线系列集成了高性能ARM?Cortex?-M3 32位RISC核心,工作频率为72 MHz,高速嵌入式存储器(闪存高达512 Kbytes, SRAM高达64 Kbytes),以及广泛的增强I/ o和连接到两个APB总线的外设。所有设备都提供三个12位adc,四个通用16位定时器和两个PWM定时器,以及标准和高级通信接口:最多两个i2c,三个spi,两个i2s,一个SDIO,五个usart,一个USB和一个CAN。 STM32F103VCT6TR高密度性能线系列工作在-40到+105°C的温度范围内,从2.0到3.6 V电源。一套全面的省电模式允许设计低功耗应用。
核心:Arm32位Cortex-M3 CPU
-最高频率72 MHz, 1.25 DMIPS/MHz
(Dhrystone 2.1) 0等待状态下的性能
内存访问
-单周期乘法和硬件
部门
记忆
—Flash内存为256kb ~ 512kb
-高达64kb的SRAM
-灵活的静态内存控制器与4芯片
选择。支持Compact Flash, SRAM,
PSRAM, NOR和NAND存储器
- LCD并口,8080/6800模式
时钟,重置和供应管理
- 2.0至3.6 V应用电源和I/ o
—POR、PDR、可编程电压检测器
(PVD)
- 4- 16 MHz晶体振荡器
-内部8 MHz工厂修剪RC
-内部40 kHz RC校准
- 32 kHz振荡器的RTC校准
低功耗
-睡眠、停止和待机模式
- VBAT供应RTC和备份寄存器
3 × 12位,1μs A/D转换器(高达21
通道)
—转换范围:0 ~ 3.6 V
-三重采样和保持能力
-温度传感器
2 × 12位D/A转换器
DMA: 12通道DMA控制器
-支持的外设:定时器、adc、DAC、
SDIO, I2Ss, spi, i2c和USARTs
调试模式
-串行线调试(SWD)和JTAG接口
Cortex- m3 Embedded Trace Macrocell
多达112个快速I/O端口
- 51/80/112个I/ o,均可映射到16个外部
中断矢量和几乎所有5 v耐受性
商品分类 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半导体) |
封装 | 100-LQFP(14x14) | 包装 | 圆盘 |
产品应用 | 通用类MCU | 核心处理器 | ARMCortex-M3 |
内核规格 | 32-位 | 速度 | 72MHz |
连接能力 | CANbus,I2C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB | 外设 | DMA,电机控制PWM,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT |
I/O数 | 80 | 程序存储容量 | 256KB(256Kx8) |
程序存储器类型 | 闪存 | EEPROM容量 | - |
RAM大小 | 48Kx8 | 电压-供电(Vcc/Vdd) | 2V~3.6V |
数据转换器 | A/D16x12b;D/A2x12b | 振荡器类型 | 内部 |
工作温度 | -40°C~85°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
基本产品编号 | STM32F103 | HTSUS | 8542.31.0001 |
湿气敏感性等级(MSL) | 3(168小时) | ECCN | 3A991A2 |
RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | REACH状态 | 非REACH产品 |
STM32F103VCT6TR原理图
STM32F103VCT6TR引脚图
STM32F103VCT6TR封装
STM32F103VCT6TR丝印
STM32F103VCT6TR料号解释