时间：2025/7/9 2:47:17
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5AGXBB3D6F40C6N 是一款由知名半导体制造商生产的高性能功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高效率开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。它采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，从而显著提升了系统能效和可靠性。
该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET，其优化设计使其在高频开关条件下表现出色。同时，它还具备出色的热性能和耐用性，能够适应各种严苛的工作环境。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：40A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：95nC
总电容：280pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
5AGXBB3D6F40C6N 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低传导损耗并提高整体效率。
2. 快速的开关速度，减少开关损耗，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的保护功能。
4. 紧凑且坚固的封装设计，提供良好的散热性能。
5. 优异的热稳定性和电气性能，确保长期可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
这款 MOSFET 广泛应用于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 工业设备中的 DC-DC 转换器。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
4. 新能源领域，如太阳能逆变器和电动车控制器。
5. 各种需要高效功率转换的电子系统。
由于其高电流承载能力和低损耗特点，5AGXBB3D6F40C6N 成为众多设计工程师的理想选择。
5AGXBB3D6F40C5N, IRFZ44N, FDP55N06L
