时间：2025/6/3 14:30:32
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SI7788DP-T1-GE3是来自Vishay Siliconix的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用TrenchFET? Gen III技术制造，具有低导通电阻和高开关效率的特点。其封装形式为TinyPower? 2x2 mm MLPD，适合用于空间受限的应用场景。
该MOSFET通常被用作负载开关、同步整流器或DC/DC转换器中的功率开关，能够在高频应用中提供高效的性能表现。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.5A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（在Vgs=10V时）
栅极电荷：6nC
总电容：980pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提高系统效率。
2. 小巧的封装尺寸（2x2mm MLPD），节省PCB板空间。
3. 高开关速度，适用于高频电源转换应用。
4. 提供良好的热稳定性和可靠性。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 能够承受高达30V的漏源电压，确保在各种工作条件下的安全性。
1. 移动设备中的负载开关。
2. 同步整流应用，如笔记本适配器和工业电源。
3. DC/DC转换器中的功率级开关。
4. 电池供电设备中的电源管理。
5. 消费类电子产品的高效功率转换。
6. 工业控制和通信系统的电源管理模块。
SI7446DP, SI4486DY, IRF7832
