时间：2025/7/1 2:21:14
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STL8DN6LF3 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沞 MOSFET。该器件采用了 MDmesh 技术，具有低导通电阻和高效率的特点，广泛适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。STL8DN6LF3 的封装形式为 TO-220AC，适合大功率场合，并且具备良好的热性能。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：8A
导通电阻：1.3Ω
栅极电荷：75nC
开关时间：ton=98ns, toff=48ns
结温范围：-55℃ 至 +175℃
STL8DN6LF3 具有以下显著特性：
1. 高击穿电压 (600V)，适用于高压环境下的电力电子应用。
2. 低导通电阻 (Rds(on) = 1.3Ω)，可减少导通损耗，提高系统效率。
3. 快速开关速度，有助于降低开关损耗并提升高频工作能力。
4. 采用 MDmesh 技术优化了芯片结构设计，提升了整体性能。
5. 封装形式为 TO-220AC，支持大功率散热需求，确保长期稳定运行。
6. 广泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，适应多种极端条件下的使用场景。
STL8DN6LF3 可应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器，用于高效能量转换。
2. 工业设备中的电机驱动和控制电路。
3. 逆变器及 UPS 系统中的功率开关。
4. 各种需要高压开关的应用场合，如荧光灯镇流器和太阳能逆变器。
5. 电动车和混合动力车中的辅助系统电路。
STL8N60DM3, IRFP260N, FQA8N60C
