STL8DN6LF3 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的 N 沞 MOSFET。该器件采用了 MDmesh 技术,具有低导通电阻和高效率的特点,广泛适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。STL8DN6LF3 的封装形式为 TO-220AC,适合大功率场合,并且具备良好的热性能。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:8A
导通电阻:1.3Ω
栅极电荷:75nC
开关时间:ton=98ns, toff=48ns
结温范围:-55℃ 至 +175℃
STL8DN6LF3 具有以下显著特性:
1. 高击穿电压 (600V),适用于高压环境下的电力电子应用。
2. 低导通电阻 (Rds(on) = 1.3Ω),可减少导通损耗,提高系统效率。
3. 快速开关速度,有助于降低开关损耗并提升高频工作能力。
4. 采用 MDmesh 技术优化了芯片结构设计,提升了整体性能。
5. 封装形式为 TO-220AC,支持大功率散热需求,确保长期稳定运行。
6. 广泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃),适应多种极端条件下的使用场景。
STL8DN6LF3 可应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器,用于高效能量转换。
2. 工业设备中的电机驱动和控制电路。
3. 逆变器及 UPS 系统中的功率开关。
4. 各种需要高压开关的应用场合,如荧光灯镇流器和太阳能逆变器。
5. 电动车和混合动力车中的辅助系统电路。
STL8N60DM3, IRFP260N, FQA8N60C