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STL8DN6LF3 发布时间 时间:2025/7/1 2:21:14 查看 阅读:6

STL8DN6LF3 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的 N 沞 MOSFET。该器件采用了 MDmesh 技术,具有低导通电阻和高效率的特点,广泛适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。STL8DN6LF3 的封装形式为 TO-220AC,适合大功率场合,并且具备良好的热性能。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:8A
  导通电阻:1.3Ω
  栅极电荷:75nC
  开关时间:ton=98ns, toff=48ns
  结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

STL8DN6LF3 具有以下显著特性:
  1. 高击穿电压 (600V),适用于高压环境下的电力电子应用。
  2. 低导通电阻 (Rds(on) = 1.3Ω),可减少导通损耗,提高系统效率。
  3. 快速开关速度,有助于降低开关损耗并提升高频工作能力。
  4. 采用 MDmesh 技术优化了芯片结构设计,提升了整体性能。
  5. 封装形式为 TO-220AC,支持大功率散热需求,确保长期稳定运行。
  6. 广泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃),适应多种极端条件下的使用场景。

应用

STL8DN6LF3 可应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器,用于高效能量转换。
  2. 工业设备中的电机驱动和控制电路。
  3. 逆变器及 UPS 系统中的功率开关。
  4. 各种需要高压开关的应用场合,如荧光灯镇流器和太阳能逆变器。
  5. 电动车和混合动力车中的辅助系统电路。

替代型号

STL8N60DM3, IRFP260N, FQA8N60C

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STL8DN6LF3参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列STripFET™ III
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds668pF @ 25V
  • 功率 - 最大65W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerVDFN
  • 供应商设备封装PowerFlat?(5x6)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-13169-6