AUIRF7103QTR 时间：2025/5/7 15:29:58 阅读：6

AUIRF7103QTR是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，专为汽车电子应用设计。该器件采用IR公司的先进技术制造，具有极低的导通电阻和出色的开关性能，适合用于DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。AUIRF7103QTR属于增强型N沟道MOSFET，能够有效提高系统的效率并降低功耗。
　　该芯片符合AEC-Q101标准，确保其在极端温度和振动条件下的可靠性，同时满足汽车行业对安全性和稳定性的严格要求。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：29A
　　导通电阻：3.5mΩ
　　栅极电荷：85nC
　　总电容：1450pF
　　工作温度范围：-40℃至175℃
　　封装类型：TO-263-3

特性

AUIRF7103QTR具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗，提升系统效率。
　　2. 高电流承载能力，可支持高达29A的连续漏极电流。
　　3. 快速开关速度，得益于较低的栅极电荷和输出电荷，适合高频应用。
　　4. 符合AEC-Q101标准，具备卓越的可靠性和抗干扰能力。
　　5. 宽工作温度范围（-40℃至175℃），适应各种严苛环境。
　　6. 适用于高可靠性要求的汽车级应用，如电动车窗、座椅调节和风扇控制等。

应用

AUIRF7103QTR广泛应用于汽车电子领域，包括但不限于：
　　1. DC-DC转换器中的功率开关元件。
　　2. 电动助力转向系统（EPS）和其他电机驱动电路。
　　3. 汽车照明系统中的负载开关。
　　4. 燃油泵和水泵控制。
　　5. 各类车载电子设备的电源管理模块。
　　这款器件因其高效能和高可靠性，成为现代汽车电气化和智能化的理想选择。