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HY62WT081ED-70C 发布时间 时间:2025/9/2 6:44:14 查看 阅读:5

HY62WT081ED-70C 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片属于高性能、低功耗的CMOS SRAM系列,适用于需要快速数据存取的工业和通信设备。该器件采用先进的CMOS技术制造,具有高速访问时间、低功耗和高可靠性等特点。该型号封装为TSOP(薄型小外形封装),适用于紧凑型电子设备。

参数

容量:1Mbit
  组织方式:128K x 8
  电压:3.3V
  访问时间:70ns
  封装类型:TSOP
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  引脚数:54
  工作模式:异步SRAM
  最大工作频率:约143MHz(基于访问时间计算)
  功耗:典型值500mW

特性

HY62WT081ED-70C是一款高性能异步SRAM,具备快速的数据访问能力,访问时间仅为70纳秒,适合需要高速缓存和临时数据存储的应用场景。该芯片采用低功耗CMOS技术,在保持高性能的同时,显著降低了运行功耗,适合对能耗敏感的系统设计。此外,该器件支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),确保在恶劣环境下仍能稳定工作。其TSOP封装形式有助于节省PCB空间,适合高密度布局的电子设备。
  该SRAM芯片具备良好的数据保持能力,在待机模式下功耗极低,非常适合需要长时间运行而不频繁刷新的系统。此外,其异步接口设计简化了与微处理器或控制器的连接,降低了系统设计复杂度。HY62WT081ED-70C广泛应用于网络设备、通信模块、嵌入式系统和工业控制设备中,作为高速缓存或临时数据存储单元。

应用

HY62WT081ED-70C 主要应用于需要高速数据访问的嵌入式系统、工业控制设备、网络路由器和交换机、通信模块、测量仪器以及医疗电子设备。由于其高速存取能力和宽温工作范围,特别适用于需要高可靠性和稳定性的工业环境。此外,该芯片也常用于图像处理、实时控制系统和高性能计算模块中,作为临时数据存储单元或高速缓存。

替代型号

CY62148EFT-70BNC、IS61WV10248B4-70BLLI、IDT71V128SA70PFGI、A621081ED-70C、HY62WT081ED70C

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