STL85N6F3 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高电流、高效率和低导通电阻的应用而设计,广泛用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、电池管理系统以及各种功率电子设备中。STL85N6F3 采用先进的技术,提供了优异的热性能和电气性能,确保在高负载条件下的稳定性和可靠性。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):85A
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):最大8.5mΩ(典型值约为6.5mΩ)
封装类型:TO-220、D2PAK(取决于具体型号后缀)
工作温度范围:-55°C至175°C
STL85N6F3 MOSFET具备多项优异特性:
首先,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率。在高电流应用中,例如DC-DC降压转换器和电机驱动器,这种特性尤为重要。
其次,该器件支持高达85A的连续漏极电流,能够满足高功率负载的需求,适用于高性能电源管理系统。
此外,STL85N6F3具有高耐压能力,最大漏源电压为60V,能够适应较宽的输入电压范围,并在瞬态电压条件下提供良好的稳定性。
其栅极驱动电压范围宽,支持常见的10V或12V驱动电压,兼容多种驱动电路设计。
该MOSFET还具备良好的热管理性能,采用高效的封装技术(如TO-220或D2PAK),能够有效散热,防止过热导致的性能下降或损坏。
另外,STL85N6F3在极端温度环境下仍能保持稳定运行,其工作温度范围从-55°C至175°C,适用于工业级和汽车电子等严苛环境。
综合这些特性,STL85N6F3是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET,适合用于多种高功率电子系统。
STL85N6F3 广泛应用于多种高功率电子系统中。在电源管理领域,它常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关电路,以提高能效并减小系统尺寸。在电机控制方面,该MOSFET适用于直流电机驱动器和无刷电机控制器,提供高电流能力和快速开关性能。此外,STL85N6F3也广泛用于电池管理系统(BMS),如电动汽车、储能系统和便携式设备中的充放电控制电路。在工业自动化和自动化设备中,它可用于高侧或低侧开关应用,驱动继电器、电磁阀和其他高功率负载。由于其优异的热性能和高可靠性,STL85N6F3也常用于汽车电子系统,如车载充电器、电动助力转向系统和车身控制模块。总之,该器件适用于需要高效率、高电流和高可靠性的功率电子应用。
IRF1405, FDP85N60, IPW85R008P07