AON2290是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点。它广泛应用于消费电子、通信设备、计算机及外设等领域,适用于负载开关、DC-DC转换器、电池管理以及其他功率管理应用。
类型:N沟道增强型MOSFET
封装:SOT-23
最大漏源电压Vds:30V
最大栅源电压Vgs:±8V
连续漏极电流Id:1.4A(Tc=25℃)
导通电阻Rds(on):60mΩ(典型值,Vgs=4.5V)
栅极电荷Qg:4nC(典型值)
总功耗Ptot:450mW(Tamb=25℃)
工作结温范围:-55℃至+150℃
AON2290采用了低导通电阻的设计,有助于减少功率损耗并提高效率。
其小型SOT-23封装使其非常适合空间受限的应用场景。
具备快速开关能力,可有效降低开关损耗。
高静电防护能力和稳定性确保了在各种环境下的可靠运行。
通过优化的热设计,即使在较高的电流负载下也能保持较低的工作温度。
AON2290的低输入电容和输出电容使其能够适应高频开关应用需求。
AON2290适用于多种功率管理应用场景,包括但不限于:
便携式设备中的负载开关功能,如智能手机、平板电脑等。
DC-DC转换器中的同步整流或开关管角色。
锂电池保护电路中的过流保护和短路保护。
USB端口保护以及多路电源切换。
各类消费类电子产品中的信号传输路径控制。
其他需要高效能、小尺寸功率开关的场合。
AOZ2290A
SI2302DS
FDMC867
NTSN290N
BSB014N06LSG