时间：2025/5/12 19:22:16
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AON2290是一款由Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点。它广泛应用于消费电子、通信设备、计算机及外设等领域，适用于负载开关、DC-DC转换器、电池管理以及其他功率管理应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：SOT-23
最大漏源电压Vds：30V
最大栅源电压Vgs：±8V
连续漏极电流Id：1.4A（Tc=25℃）
导通电阻Rds(on)：60mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
栅极电荷Qg：4nC（典型值）
总功耗Ptot：450mW（Tamb=25℃）
工作结温范围：-55℃至+150℃
AON2290采用了低导通电阻的设计，有助于减少功率损耗并提高效率。
其小型SOT-23封装使其非常适合空间受限的应用场景。
具备快速开关能力，可有效降低开关损耗。
高静电防护能力和稳定性确保了在各种环境下的可靠运行。
通过优化的热设计，即使在较高的电流负载下也能保持较低的工作温度。
AON2290的低输入电容和输出电容使其能够适应高频开关应用需求。
AON2290适用于多种功率管理应用场景，包括但不限于：
便携式设备中的负载开关功能，如智能手机、平板电脑等。
DC-DC转换器中的同步整流或开关管角色。
锂电池保护电路中的过流保护和短路保护。
USB端口保护以及多路电源切换。
各类消费类电子产品中的信号传输路径控制。
其他需要高效能、小尺寸功率开关的场合。
AOZ2290A
SI2302DS
FDMC867
NTSN290N
BSB014N06LSG
