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STL70N4LLF5 发布时间 时间:2025/5/30 18:10:53 查看 阅读:7

STL70N4LLF5是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用了MDmesh?技术,具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于多种功率转换应用。它广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等领域。
  STL70N4LLF5的封装形式为TO-220AC,适合表面贴装和通孔安装,便于在各种电路板上进行部署。

参数

最大漏源电压Vds:400V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  连续漏极电流Id:16A
  导通电阻Rds(on):130mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗Ptot:150W
  结温范围Tj:-55℃至+175℃
  封装类型:TO-220AC

特性

STL70N4LLF5具备以下主要特性:
  1. 低导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高效率。
  2. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的耐用性。
  3. MDmesh?技术的应用,进一步优化了开关性能和热特性。
  4. 快速开关速度,适合高频应用环境。
  5. 良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内可靠运行。
  6. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。

应用

STL70N4LLF5适用于以下典型应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. DC-DC转换器中用于高效电能转换。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 各种负载切换场合,如工业设备、家用电器和汽车电子等。
  5. PFC(功率因数校正)电路中的关键元件。
  由于其高压和大电流特性,STL70N4LLF5非常适合需要高可靠性和高效率的功率管理应用。

替代型号

STL75N4LLF5
  STL90N4LLF5
  IRF840

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STL70N4LLF5参数

  • 其它有关文件STL70N4LLF5 View All Specifications
  • 特色产品STripFET? Series V Power MOSFETs
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C70A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.5 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1800pF @ 25V
  • 功率 - 最大4W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerVDFN
  • 供应商设备封装PowerFlat?(6x5)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-10575-6