时间：2025/5/30 15:40:56
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TLRP3A30CR050FTE 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺设计。该芯片广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及各类开关电路中。其出色的导通电阻和开关性能使其成为高效率功率转换应用的理想选择。
此器件(on)）和优化的栅极电荷特性，能够在高频工作条件下提供更高的效率和更低的功耗。同时，它具有强大的抗雪崩能力，能够承受瞬态过压情况下的能量冲击。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：30V
最大连续漏电流(Id)：3.4A
导通电阻(Rds(on))：5mΩ
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.5V
总栅极电荷(Qg)：15nC
功耗(PD)：78W
工作温度范围(TJ)：-55℃ to 175℃
TLRP3A30CR050FTE 的主要特点是低导通电阻和优秀的开关性能，这使得它在高效能需求的应用中表现出色。此外，它还具有以下特性：
1. 极低的 Rds(on)，有助于降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度，减少开关损耗，特别适合高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力，增强器件在异常条件下的耐用性。
4. 小型化封装设计，节省 PCB 空间。
5. 宽广的工作温度范围，适应多种环境需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
该功率 MOSFET 可用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. DC-DC 转换器中的功率开关。
4. 汽车电子系统中的负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 各类消费电子产品中的电源管理单元。
TLRP3A30CR050FTE 凭借其卓越的性能表现，在上述应用中提供了可靠的解决方案。
IRLRP3A30CR,
STRLP3A30CR,
FDP3A30CR
